深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司羅傳寶獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司申請的專利顯示面板及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN117790512B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202311763631.4,技術領域涉及:H10D86/60;該發明授權顯示面板及其制備方法是由羅傳寶設計研發完成,并于2023-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本顯示面板及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明涉及一種顯示面板及其制備方法。本發明的非顯示區的第一薄膜晶體管的第一有源層包括設置于第一槽壁上的第一溝道部、設置于第二槽壁上的第二溝道部、設置于第一槽底上且連接于第一溝道部和第二溝道部之間的第一導電部、設置于第一子源極上且連接于第一溝道部的第二導電部以及設置于第二子源極上且連接于第二溝道部的第三導電部,由此使得第一薄膜晶體管具有左右兩個彼此相連的垂直溝道結構。通過采用具有雙垂直溝道結構的第一薄膜晶體管,提升第一薄膜晶體管的載流子遷移率和電流,避免增大第一薄膜晶體管的尺寸,有利于減小顯示面板的尺寸,從而有利于實現顯示面板的窄邊框設計。
本發明授權顯示面板及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種顯示面板,所述顯示面板包括顯示區101和位于所述顯示區101的至少一側的非顯示區102,其特征在于,所述顯示面板包括:基板1及設置于所述基板1上的第一薄膜晶體管2; 其中,所述第一薄膜晶體管2位于所述非顯示區102,所述第一薄膜晶體管2包括:第一漏極21、第一有源層24、設置于所述第一漏極21上的層間絕緣層22以及設置于所述層間絕緣層22上的第一源極23;所述第一薄膜晶體管2中還設有貫穿所述第一源極23及所述層間絕緣層22的第一凹槽26; 其中,第一凹槽26具有第一槽壁261、第二槽壁262以及連接于所述第一槽壁261與所述第二槽壁262之間的第一槽底263; 其中,所述第一源極23包括第一子源極231和第二子源極232,所述第一子源極231位于所述第一凹槽26的一側的所述層間絕緣層22上,所述第二子源極232位于所述第一凹槽26的另一側的所述層間絕緣層22上; 其中,所述第一有源層24包括:設置于所述第一槽壁261上的第一溝道部241、設置于所述第二槽壁262上的第二溝道部242、設置于所述第一槽底263上且連接于所述第一溝道部241和所述第二溝道部242之間的第一導電部243、設置于所述第一子源極231上且連接于所述第一溝道部241的第二導電部244以及設置于所述第二子源極232上且連接于所述第二溝道部242的第三導電部245。
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