粵芯半導體技術股份有限公司邱錦華獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉粵芯半導體技術股份有限公司申請的專利一種減少爐管內顆粒的方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN117672925B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202311787174.2,技術領域涉及:H01L21/67;該發明授權一種減少爐管內顆粒的方法是由邱錦華;施劍華設計研發完成,并于2023-12-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種減少爐管內顆粒的方法在說明書摘要公布了:本申請提供了一種減少爐管內顆粒的方法,其中,該方法包括:在爐管的熱反應腔體內針對進行熱反應工藝后的晶圓按照第一預設降溫條件對晶圓進行第一次降溫操作,以控制晶圓的溫度下降至第一預設溫度;在第一次降溫操作執行后按照第二預設降溫條件對晶圓進行第二次降溫操作,以控制晶圓的溫度下降至第二預設溫度;在第二次降溫操作執行后按照預設停止旋轉條件控制裝載晶圓的晶舟停止旋轉。本申請解決了現有技術中在爐管內部容易產生顆粒的技術問題,達到了減少由于晶圓形變而產生的顆粒以及減少由于晶圓與晶舟之間的摩擦而產生的顆粒的技術效果。
本發明授權一種減少爐管內顆粒的方法在權利要求書中公布了:1.一種減少爐管內顆粒的方法,其特征在于,所述方法包括: 在爐管的熱反應腔體內針對進行熱反應工藝后的晶圓按照第一預設降溫條件對所述晶圓進行第一次降溫操作,以控制所述晶圓的溫度下降至第一預設溫度,所述第一預設降溫條件用于提高晶圓的冷卻效率,晶圓的溫度在大于或者等于第一預設溫度時不會由于形變而產生顆粒,晶圓的溫度在小于第一預設溫度時晶圓會由于形變而產生顆粒; 在所述第一次降溫操作執行后按照第二預設降溫條件對晶圓進行第二次降溫操作,以控制所述晶圓的溫度下降至第二預設溫度,所述第二預設降溫條件用于限制晶圓的形變且防止對熱反應腔體升溫,所述第二預設溫度為所述熱反應腔體的預設待機溫度; 在所述第二次降溫操作執行后按照預設停止旋轉條件控制裝載晶圓的晶舟停止旋轉,所述預設停止旋轉條件用于限制晶圓與所述爐管內的晶舟之間產生相對位移,以減少顆粒的產生; 所述第一預設降溫條件包括:通過控制所述熱反應腔體的降溫速率來提高晶圓的冷卻效率, 所述第二預設降溫條件包括:通過控制所述熱反應腔體的降溫速率來限制晶圓的形變,以及通過對所述熱反應腔體的溫度進行溫度補償來防止重新加熱晶圓, 所述預設停止旋轉條件包括:通過限制所述晶舟的旋轉加速度來防止由于慣性而導致在停止旋轉過程中所述晶圓與所述晶舟之間產生相對位移。
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