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龍圖騰網獲悉安徽工業大學申請的專利一種離子刻蝕工藝控制PVD沉積涂層缺陷的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118835196B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410879839.0，技術領域涉及：C23C14/02；該發明授權一種離子刻蝕工藝控制PVD沉積涂層缺陷的方法是由張世宏;劉永康;楊英;鄭軍;張騰飛;張林;蔡飛設計研發完成，并于2024-07-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種離子刻蝕工藝控制PVD沉積涂層缺陷的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及PVD涂層生產工藝技術領域，具體涉及一種離子刻蝕工藝控制PVD沉積涂層缺陷的方法，該方法采用柱弧Ti靶材，在輔助陽極的作用下對試樣進行離子刻蝕，惰性氣體氬氣作為反應氣體，產生的等離子體達到離子刻蝕的作用，減少涂層沉積缺陷。使用表征設備對離子刻蝕前后的微觀組織進行分析，并對不同涂層在3.5wt.％NaCl溶液條件下的腐蝕行為進行深入的分析。通過引入離子刻蝕的方法有效降低了缺陷的數量，同時改善涂層的電化學性能。

本發明授權一種離子刻蝕工藝控制PVD沉積涂層缺陷的方法在權利要求書中公布了：1.一種離子刻蝕工藝控制PVD沉積涂層缺陷的方法，其特征在于，包括以下步驟： S1，樣品表面前處理：利用粗砂紙將樣品表面打磨除銹，再用細砂紙對表面進行打磨，然后使用拋光設備將樣品表面拋光至鏡面，最后將拋光好的樣品放入酒精中進行超聲波清洗、烘干； S2，裝夾樣品：使用夾具固定表面前處理的樣品后，放置在爐腔內轉架上； S3，設備抽真空：將腔室內的壓強抽至P≤； S4，設備加熱：通過設備腔體壁上的加熱管，對樣品進行加熱至300℃，加熱時間為3600s； S5，樣品的輝光清洗：向腔室內通入氬氣，設置偏壓為-400V，對樣品表面進行輝光清洗； S6，樣品的離子刻蝕清洗：向腔室內通入氬氣，設置偏壓為-300V，開啟Ti靶，從靶材上濺射出來的Ti離子被屏蔽罩遮擋，產生的電子在輔助陽極的作用下，對氬氣進行轟擊電離，產生的等離子體對樣品表面進行刻蝕清洗； S7，樣品的過渡層沉積：樣品完成離子刻蝕清洗后，向腔室內通入氬氣，開啟Cr靶，從靶材中濺射的粒子沉積于樣品表面，生成Cr金屬過渡層； S8，CrNNbN涂層的制備：停止氬氣的通入，在腔室內通入氮氣，交替開啟或同時開啟Cr靶和Nb靶弧電源，靶材濺射的粒子和氮氣離化的粒子結合，生成CrNNbN多層納米多層涂層，在涂層制備過程中，插入三次離子刻蝕，持續時間分別為600s； S9，樣品冷卻、取樣：沉積完畢后，待爐腔溫度冷卻到120℃以下時取出樣品； 所述步驟S8中，通入氮氣，沉積時腔室內壓強穩定在，Cr靶材的電流為120A，Nb靶材的電流為160A，基體偏壓為-80V； 所述步驟S8中，具體過程如下： S81，停止通入氬氣，向腔室內通入氮氣，壓強穩定在，然后將1號靶材通電，靶電流設置為120A，偏壓設置為-80V，沉積時間為1260s，隨后斷開1號靶材電流，3號靶材通電，靶電流設置為160A，偏壓設置為-80V，沉積時間為660s，交替沉積循環2次；或者同時將1號和3號靶材通電，靶電流分別設置為120A和160A，偏壓設置為-80V，沉積時間為1560s； S82，停止通入氮氣，向腔室內通入氬氣，壓強穩定在，柱弧靶材通電，靶材電流設置為80A，偏壓設置為-300V，2號和3號靶材為輔助陽極，離子源電流80A，刻蝕時間為600s； S83，停止通入氬氣，向腔室內通入氮氣，壓強穩定在，然后將1號靶材通電，靶電流設置為120A，偏壓設置為-80V，沉積時間為1260s，隨后斷開1號靶材電流，3號靶材通電，靶電流設置為160A，偏壓設置為-80V，沉積時間為660s，交替沉積循環2次；或者同時將1號和3號靶材通電，靶電流分別設置為120A和160A，偏壓設置為-80V，沉積時間為1560s； S84，停止通入氮氣，向腔室內通入氬氣，壓強穩定在，柱弧靶材通電，靶材電流設置為80A，偏壓設置為-300V，2號和3號靶材為輔助陽極，離子源電流80A，刻蝕的時間為600s； S85，停止通入氬氣，向腔室內通入氮氣，壓強穩定在，然后將1號靶材通電，靶電流設置為120A，偏壓設置為-80V，沉積時間為1260s，隨后斷開1號靶材電流，3號靶材通電，靶電流設置為160A，偏壓設置為-80V，沉積時間為660s，交替沉積循環2次；或者同時將1號和3號靶材通電，靶電流分別設置為120A和160A，偏壓設置為-80V，沉積時間為1560s； S86，停止通入氮氣，向腔室內通入氬氣，壓強穩定在，柱弧靶材通電，靶材電流設置為80A，偏壓設置為-300V，2號和3號靶材為輔助陽極，離子源電流80A，刻蝕的時間為600s； 所述2號靶材和3號靶材為輔助陽極； 所述1號靶材為Cr靶，3號靶材為Nb靶。

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