買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉中科芯磁科技(珠海)有限責(zé)任公司申請的專利多路1T1R電阻網(wǎng)絡(luò)的阻抗校準(zhǔn)電路及其阻抗校準(zhǔn)方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119652283B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510173789.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03H17/00；該發(fā)明授權(quán)多路1T1R電阻網(wǎng)絡(luò)的阻抗校準(zhǔn)電路及其阻抗校準(zhǔn)方法是由韓小煒;吳利華;趙凱;崔冰設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-02-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本多路1T1R電阻網(wǎng)絡(luò)的阻抗校準(zhǔn)電路及其阻抗校準(zhǔn)方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，提供一種多路1T1R電阻網(wǎng)絡(luò)的阻抗校準(zhǔn)電路及其阻抗校準(zhǔn)方法，其中，一種多路1T1R電阻網(wǎng)絡(luò)的阻抗校準(zhǔn)電路，包括正極阻抗校準(zhǔn)模塊、負(fù)極阻抗校準(zhǔn)模塊、用戶阻抗校準(zhǔn)模塊及DCI調(diào)節(jié)模塊，其特征在于，所述正極阻抗校準(zhǔn)模塊、負(fù)極阻抗校準(zhǔn)模塊及用戶阻抗校準(zhǔn)模塊中均包含多路的RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)；所述RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中具有多個支路RRAM結(jié)構(gòu)組成；所述支路RRAM結(jié)構(gòu)由多個改進(jìn)RRAM單元組成，其中，所述改進(jìn)RRAM單元由一個晶體管與一個RRAM單元串聯(lián)組成。本發(fā)明可以在阻抗校準(zhǔn)電路中，降低電阻分布的復(fù)雜性，且提高電路對于各種阻抗校準(zhǔn)算法的適應(yīng)性。

本發(fā)明授權(quán)多路1T1R電阻網(wǎng)絡(luò)的阻抗校準(zhǔn)電路及其阻抗校準(zhǔn)方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多路1T1R電阻網(wǎng)絡(luò)的阻抗校準(zhǔn)電路，包括正極阻抗校準(zhǔn)模塊、負(fù)極阻抗校準(zhǔn)模塊、用戶阻抗校準(zhǔn)模塊及DCI調(diào)節(jié)模塊，其中，所述1T1R是指1個晶體管和1個RRAM單元的串聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述晶體管用于控制電流通斷，所述正極阻抗校準(zhǔn)模塊及負(fù)極阻抗校準(zhǔn)模塊分別連接到所述DCI調(diào)節(jié)模塊中的PAD上，其中，所述DCI調(diào)節(jié)模塊包含一個PAD，所述用戶阻抗校準(zhǔn)模塊分別連接DCI調(diào)節(jié)模塊、正極阻抗校準(zhǔn)模塊及負(fù)極阻抗校準(zhǔn)模塊，所述用戶阻抗校準(zhǔn)模塊用于當(dāng)所述DCI調(diào)節(jié)模塊判定所述正極阻抗校準(zhǔn)模塊及負(fù)極阻抗校準(zhǔn)模塊均不需要進(jìn)行電阻連接狀態(tài)的調(diào)節(jié)操作時，獲取所述正極阻抗校準(zhǔn)模塊的正極阻抗調(diào)節(jié)信號，及獲取負(fù)極阻抗校準(zhǔn)模塊的負(fù)極阻抗調(diào)節(jié)信號，其特征在于，所述正極阻抗校準(zhǔn)模塊及負(fù)極阻抗校準(zhǔn)模塊中均包含多路的RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，其中，所述RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)用于作為一種可動態(tài)調(diào)節(jié)的電阻； 所述RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中具有多個支路RRAM結(jié)構(gòu)組成，各個支路RRAM結(jié)構(gòu)之間呈矩陣式分布關(guān)系，其中，所述呈矩陣式分布關(guān)系是指所述RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中包括多條平行的字線WL及多條垂直于字線WL的BL位線組，其中，所述BL位線組由平行的BL位線及BLN位線組成，每條BL位線組與每條的字線WL之間形成線段，每個所述線段上均連接一個改進(jìn)RRAM單元，其中，所述改進(jìn)RRAM單元的兩端分別連接BL位線及BLN位線上與所述線段形成并聯(lián)，所述改進(jìn)RRAM單元中晶體管的柵極連接至所述線段； 所述支路RRAM結(jié)構(gòu)由多個改進(jìn)RRAM單元組成，其中，所述改進(jìn)RRAM單元由一個晶體管與一個RRAM單元串聯(lián)組成； 其中，所述正極阻抗校準(zhǔn)模塊中每一路的RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，包括兩個PMOS，一個所述RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，組成PMOS-RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)-PMOS的串聯(lián)結(jié)構(gòu)，電流方向依次是VCCO、PMOS、RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)、PMOS及所述DCI調(diào)節(jié)模塊中的PAD，其中，VCCO在所述正極阻抗校準(zhǔn)模塊中的RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的外部，所述正極阻抗校準(zhǔn)模塊用于對所述RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中的電阻連接狀態(tài)進(jìn)行調(diào)節(jié)，得到正極阻抗調(diào)節(jié)信號； 其中，所述負(fù)極阻抗校準(zhǔn)模塊中每一路的RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，包括兩個NMOS，一個所述RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，組成NMOS-RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)-NMOS的串聯(lián)結(jié)構(gòu)，電流方向依次是PAD、NMOS、RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)、NMOS及接地，其中，接地在所述負(fù)極阻抗校準(zhǔn)模塊中的RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的外部，所述負(fù)極阻抗校準(zhǔn)模塊用于對所述RRAM網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中的電阻連接狀態(tài)進(jìn)行調(diào)節(jié)，得到負(fù)極阻抗調(diào)節(jié)信號； 其中，所述DCI調(diào)節(jié)模塊，用于判定所述正極阻抗校準(zhǔn)模塊及負(fù)極阻抗校準(zhǔn)模塊是否需要進(jìn)行電阻連接狀態(tài)的調(diào)節(jié)操作。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中科芯磁科技(珠海)有限責(zé)任公司，其通訊地址為：519070 廣東省珠海市香洲區(qū)前河北路68號之環(huán)宇城寫字樓7層08單元；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。