合肥晶合集成電路股份有限公司朱瑤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利圖像傳感器的制備方法、圖像傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119815978B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510303052.4，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權圖像傳感器的制備方法、圖像傳感器是由朱瑤;楊軍設計研發完成，并于2025-03-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本圖像傳感器的制備方法、圖像傳感器在說明書摘要公布了：本發明涉及一種圖像傳感器的制備方法、圖像傳感器，涉及顯示技術領域，該圖像傳感器在隔離凹槽內設置了具有第一摻雜離子的阻隔層，由于該阻隔層的致密性較高，可以阻隔刻蝕時外部離子從隔離溝槽的界面處鉆入像素區，所以避免了由于界面處缺陷造成的暗電流的產生，進一步避免了像素區的局部區域產生白像素的問題。
本發明授權圖像傳感器的制備方法、圖像傳感器在權利要求書中公布了：1.一種圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 提供基底，所述基底包括襯底以及位于所述襯底上的掩膜層，所述基底具有至少兩個像素區，以及位于相鄰兩個所述像素區之間的隔離溝槽，所述隔離溝槽貫穿所述掩膜層，并延伸至部分所述襯底內； 在所述隔離溝槽的側壁以及底部的所述襯底的表面形成第一介質層； 在所述第一介質層的表面以及所述隔離溝槽側壁的所述掩膜層的表面，形成具有第一摻雜離子的阻隔層； 在所述阻隔層的表面形成填充所述隔離溝槽的第一隔離材料層； 刻蝕去除所述隔離溝槽內的部分所述第一隔離材料層，以形成開口區； 在形成所述開口區后的所述隔離溝槽內形成第一隔離層以及第二隔離層； 其中，所述阻隔層為氮化硅阻隔層，所述第一摻雜離子為C離子；所述刻蝕去除所述隔離溝槽內的部分所述第一隔離材料層，以形成開口區的步驟，包括： 采用第一刻蝕氣體刻蝕去除所述隔離溝槽內的部分所述第一隔離材料層，以形成所述開口區； 所述第一刻蝕氣體包括含氟離子的刻蝕氣體。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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