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龍圖騰網(wǎng)獲悉全芯智造技術(shù)有限公司申請的專利用于仿真晶圓處理過程的方法、設備和介質(zhì)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120299545B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510771784.6，技術(shù)領域涉及：G16C20/10；該發(fā)明授權(quán)用于仿真晶圓處理過程的方法、設備和介質(zhì)是由請求不公布姓名設計研發(fā)完成，并于2025-06-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于仿真晶圓處理過程的方法、設備和介質(zhì)在說明書摘要公布了：本公開的實施例提供了用于仿真晶圓處理過程的方法、設備和介質(zhì)。在該方法中，針對晶圓的電化學沉積過程中的時刻，基于晶圓的沉積狀態(tài)，從電化學沉積過程的多個處理階段中確定該時刻要對晶圓進行的目標處理階段?；诰A的特征結(jié)構(gòu)信息和與電化學沉積過程有關(guān)的工藝參數(shù)，對目標處理階段進行仿真，以確定與該時刻對應的針對電化學沉積速度的仿真結(jié)果?；卺槍Χ鄠€時刻分別確定的多個仿真結(jié)果，確定工藝參數(shù)的目標參數(shù)值。

本發(fā)明授權(quán)用于仿真晶圓處理過程的方法、設備和介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于仿真晶圓處理過程的方法，包括： 針對芯片的電化學沉積過程的時刻， 基于所述芯片的沉積狀態(tài)，從所述電化學沉積過程的多個處理階段中確定該時刻要對所述芯片進行的目標處理階段，所述多個處理階段是基于電化學沉積的效果而劃分的，所述多個處理階段對應于不同的仿真模型； 基于所述芯片的特征結(jié)構(gòu)信息和與所述電化學沉積過程有關(guān)的工藝參數(shù)，利用與所述目標處理階段對應的仿真模型對所述目標處理階段進行仿真，以確定與該時刻對應的針對電化學沉積速度的仿真結(jié)果；以及 基于針對多個所述時刻分別確定的多個仿真結(jié)果，確定所述工藝參數(shù)的目標參數(shù)值。

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