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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120321940B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510804072.X，技術領域涉及：H10B10/00；該發明授權半導體器件及其形成方法是由陳興設計研發完成，并于2025-06-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件及其形成方法，對Core器件區的NMOS區和SRAM器件區的NMOS區進行第一次離子注入，以使Core器件區的NMOS區的閾值電壓調節到目標值，此時SRAM器件區的NMOS區具有第一閾值電壓值；根據第一閾值電壓值和SRAM器件的良率與閾值電壓的關系，確定最高良率所對應的SRAM器件區的PMOS區的第二閾值電壓值；對Core器件區的PMOS區和SRAM器件區的PMOS區進行第二次離子注入，以使SRAM器件區的PMOS區的閾值電壓達到第二閾值電壓值，對Core器件區的PMOS區進行第二次調節閾值電壓，以使Core器件區的PMOS區的閾值電壓達到目標值。本發明意想不到的效果是，在Core器件區與SRAM器件區共用掩模版降低制造成本的同時，保證Core器件區的閾值電壓達到目標值和SRAM器件區達到最高良率所對應的閾值電壓。

本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供一襯底，所述襯底包括Core器件區與SRAM器件區，所述Core器件區包括PMOS區和NMOS區，所述SRAM器件區包括PMOS區和NMOS區； 執行第一離子注入工藝，對所述Core器件區的NMOS區和所述SRAM器件區的NMOS區進行阱摻雜和調節閾值電壓，以使所述Core器件區的NMOS區的閾值電壓調節到目標值，此時所述SRAM器件區的NMOS區具有第一閾值電壓值； 根據所述SRAM器件區的NMOS區的第一閾值電壓值，以及所述SRAM器件的良率與閾值電壓的關系，確定出最高良率所對應的所述SRAM器件區的PMOS區的第二閾值電壓值； 執行第二離子注入工藝，對所述Core器件區的PMOS區和所述SRAM器件區的PMOS區進行阱摻雜和調節閾值電壓，以使所述SRAM器件區的PMOS區的閾值電壓達到第二閾值電壓值，此時所述Core器件區的PMOS區具有第三閾值電壓值； 執行第三離子注入工藝，對所述Core器件區的PMOS區的第三閾值電壓值進行第二次閾值電壓調節，以使所述Core器件區的PMOS區的閾值電壓達到目標值。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。