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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國第一汽車股份有限公司申請的專利一種氧傳感器保護層的制備方法及氧傳感器獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN120311128B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510803613.7，技術領域涉及：C23C4/02；該發(fā)明授權一種氧傳感器保護層的制備方法及氧傳感器是由齊丹;叢鑫;高宏宇;商安琪;孫韻婷;王金興;任松;李爽;付泉鑫;張松峰設計研發(fā)完成，并于2025-06-17向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種氧傳感器保護層的制備方法及氧傳感器在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于氧傳感器技術領域，提供了一種氧傳感器保護層的制備方法及氧傳感器，氧傳感器保護層為單層結構，制備方法包括以下步驟：對氧傳感器芯片進行基體粗化處理；用固態(tài)的造孔劑對氧傳感器芯片的進氣孔進行封孔保護；控制等離子噴涂氧傳感器保護層時的噴涂參數(shù)，結合適宜的基體粗糙度，采用雙重降溫保護措施，制得氧傳感器保護層。采用本發(fā)明的制備方法獲得的氧傳感器保護層附著力高、孔隙率和涂層厚度均勻、耐淋水性高、氧傳感器芯片的進氣孔暢通、信號衰減得到降低，能夠滿足氧傳感器對氧傳感器保護層的工作要求，氧傳感器避免了失效風險、工作性能更穩(wěn)定，延長了使用壽命，生產(chǎn)周期短、成本低。

本發(fā)明授權一種氧傳感器保護層的制備方法及氧傳感器在權利要求書中公布了：1.一種氧傳感器保護層的制備方法，其特征在于，所述氧傳感器保護層為單層結構，其制備方法包括步驟如下： S1、對氧傳感器芯片待保護部位進行基體粗化處理； S2、采用固態(tài)的造孔劑對所述氧傳感器芯片待保護部位的進氣孔進行封孔處理：將氧傳感器芯片的進氣孔所在面朝上放置于平面上，將固態(tài)的造孔劑顆粒撒在氧傳感器芯片的表面，使固態(tài)的造孔劑顆粒覆蓋氧傳感器芯片進氣孔的所在區(qū)域，用柔性刮板單向刮平，將進氣孔封住； S3、采用等離子噴涂方法對氧傳感器芯片待保護部位進行噴涂，控制噴涂工藝參數(shù)，同時使用雙重降溫保護措施，得到所述氧傳感器保護層；所述噴涂工藝參數(shù)包括噴涂角度、噴涂功率、噴涂距離、送粉量； 所述步驟S1包括：采用吹砂法，設置壓縮空氣的壓力為0.05~0.25MPa，以壓縮空氣將白剛玉砂噴射到氧傳感器芯片待保護部位，增加基體的粗糙度，白剛玉砂的粒度為100~150目，氧傳感器芯片待保護部位為氧傳感器芯片前端的泵面自邊緣起16mm范圍內(nèi)、加熱器面自邊緣起18mm范圍內(nèi)； 所述步驟S3中控制噴涂角度范圍為30~60°、噴涂功率為28~42kW、噴涂距離為120~200mm、送粉量為15~35gmin； 所述雙重降溫保護措施包括固定部分和機動部分，所述固定部分采用耐高溫材料遮擋氧傳感器芯片非噴涂部位；機動部分采用壓縮氣體對氧傳感器芯片受噴涂部位進行局部冷卻。

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