華南理工大學戴玉宏獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華南理工大學申請的專利一種顆粒增強鈦基復合材料構件的選區激光熔化制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120306661B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510820599.1,技術領域涉及:B22F10/28;該發明授權一種顆粒增強鈦基復合材料構件的選區激光熔化制造方法是由戴玉宏;劉允中;張強設計研發完成,并于2025-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種顆粒增強鈦基復合材料構件的選區激光熔化制造方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種顆粒增強鈦基復合材料構件的選區激光熔化制造方法,該方法控制成形過程中預熱激光和成形激光的能量輸入,使復合材料構件內產生的應力在其低塑區溫度區間以上得到充分釋放,避免構件在選區激光熔化制造過程中或制造完成后產生裂紋。該方法步驟如下:對復合材料進行選區激光熔化工藝優化,得到簡單結構無裂紋的成形工藝參數并測得該材料的低塑性溫度區間;基于優化的工藝參數,調整預熱激光的激光功率和掃描速度,使粉床溫度保持在復合材料的低塑性溫度區間以上;按照預設的掃描路徑完成首層的制造;重復預熱和選區激光熔化工藝完成顆粒增強鈦基復合材料構件的制造;待成形構件冷卻后,得到無裂紋的顆粒增強鈦基復合材料構件。
本發明授權一種顆粒增強鈦基復合材料構件的選區激光熔化制造方法在權利要求書中公布了:1.一種顆粒增強鈦基復合材料構件的選區激光熔化制造方法,其特征在于,所述選區激光熔化制造方法包括以下步驟: S1、針對1wt%納米TiC增強TC4合金復合材料進行選區激光熔化工藝優化,得到無裂紋單道的成形工藝參數:激光功率230W、掃描速度800mms、光斑直徑80μm,成形時以TC4合金為基板,成形過程在氬氣環境下進行; S2、采用上述優化的工藝參數完成拉伸試樣的制備,經機加工后依照金屬材料拉伸試驗方法測量其在不同溫度下的拉伸性能,測得1wt%納米TiC增強TC4合金復合材料延伸率低于5%的溫度區間為室溫~360℃; S3、基于優化的成形工藝參數,得到預熱激光的光斑直徑為3mm、激光功率為2000W和掃描速度為1200mms,掃描整個粉床幅面,使粉床溫度保持在360~400oC,對應的材料延伸率為5~7.2%; S4、采用優化的無裂紋單道的成形工藝參數:激光功率230W、掃描速度800mms、光斑直徑80μm,基于成形件的三維模型進行切片和路徑規劃,并按照預設的掃描路徑完成首層掃描; S5、重復步驟S3中的預熱激光掃描整個粉床幅面和S4中的成形掃描,完成顆粒增強鈦基復合材料構件的制造; S6、制造完成后,將成形構件自然冷卻至室溫,得到無裂紋的顆粒增強鈦基復合材料構件。
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