天合光能股份有限公司鄒呂禹獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉天合光能股份有限公司申請的專利TOPCon太陽能電池及其制備方法、光伏組件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120344029B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510828490.2，技術領域涉及：H10F71/10；該發明授權TOPCon太陽能電池及其制備方法、光伏組件是由鄒呂禹;楊敏;劉壹博;陳景紹;陳達明設計研發完成，并于2025-06-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本TOPCon太陽能電池及其制備方法、光伏組件在說明書摘要公布了：本申請屬于太陽能電池技術領域，主要提供了一種TOPCon太陽能電池及其制備方法、光伏組件。該TOPCon太陽能電池的制備方法，包括：提供硅襯底，在硅襯底的第一面上依次形成隧穿氧化層、P型摻雜非晶硅層、P型摻雜非晶微晶硅層、P型摻雜微晶硅層；經過退火處理，使P型摻雜非晶硅層轉化為第一P型摻雜層，使P型摻雜非晶微晶硅層轉化為第二P型摻雜層，使P型摻雜微晶硅層轉化為第三P型摻雜層；其中，第一P型摻雜層、第二P型摻雜層、第三P型摻雜層的晶粒尺寸逐層增大。本申請技術方案的TOPCon太陽能電池的制備方法，可以提高TOPCon太陽能電池的鈍化性能和電學性能。
本發明授權TOPCon太陽能電池及其制備方法、光伏組件在權利要求書中公布了：1.一種TOPCon太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括： 提供硅襯底，所述硅襯底包括相對設置的第一面和第二面； 在所述硅襯底的第一面上形成隧穿氧化層； 利用PECVD，通入硅烷氣體、三甲基硼氣體和氫氣，在所述隧穿氧化層上依次形成P型摻雜非晶硅層、P型摻雜非晶微晶硅層、P型摻雜微晶硅層； 其中，形成所述P型摻雜非晶硅層時，硅烷氣體流量與氫氣流量的比值為第一氣體流量比；形成所述P型摻雜非晶微晶硅層時，硅烷氣體流量與氫氣流量的比值為第二氣體流量比；形成所述P型摻雜微晶硅層時，硅烷氣體流量與氫氣流量的比值為第三氣體流量比； 所述第一氣體流量比大于所述第二氣體流量比，所述第二氣體流量比大于所述第三氣體流量比； 經過退火處理，使所述P型摻雜非晶硅層轉化為第一P型摻雜層，使所述P型摻雜非晶微晶硅層轉化為第二P型摻雜層，使所述P型摻雜微晶硅層轉化為第三P型摻雜層； 其中，所述第一P型摻雜層、所述第二P型摻雜層、所述第三P型摻雜層的晶粒尺寸逐層增大。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天合光能股份有限公司，其通訊地址為：213031 江蘇省常州市新北區天合光伏產業園天合路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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