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龍圖騰網獲悉成都電科蓉芯科技有限公司申請的專利一種增強芯片抗電干擾的測試篩選方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120370141B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510837429.4，技術領域涉及：G01R31/28；該發明授權一種增強芯片抗電干擾的測試篩選方法及系統是由彭磊;葉錦宏;張文遠;茍紹予設計研發完成，并于2025-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種增強芯片抗電干擾的測試篩選方法及系統在說明書摘要公布了：本發明提供了一種增強芯片抗電干擾的測試篩選方法及系統，涉及半導體芯片抗電干擾技術領域，包括通過有限元分析法提取特征頻率集合及其對應的空間電場分布，生成激勵信號庫；通過微波脈沖調控NV色心的電子自旋量子態，鎖定微裂紋對應的特征諧振頻點集合；根據特征諧振頻點集合構建Vietoris?Rips復形，篩選出缺陷風險指數大于0.15的高風險芯片；對高風險芯片施加動態偏置溫度應力，篩選出符合標準的芯片；通過交互式訓練優化激勵組合權重、頻段優先級及應力加載時序，最終輸出自適應測試策略。本發明有益效果為實現了從信號生成、缺陷定位到策略自適應的全流程閉環控制，保障芯片長期穩定性。

本發明授權一種增強芯片抗電干擾的測試篩選方法及系統在權利要求書中公布了：1.一種增強芯片抗電干擾的測試篩選方法，其特征在于，包括： 基于產線歷史失效芯片的失效頻點分布數據，采用三維時域有限差分法求解Maxwell方程的特征模態，通過有限元分析法提取特征頻率集合及其對應的空間電場分布，生成激勵信號庫，所述激勵信號庫包括掃頻信號、脈沖調制信號及場分布耦合信號； 利用金剛石NV色心陣列對激勵信號庫中的激勵信號進行響應檢測，通過微波脈沖調控NV色心的電子自旋量子態，測量基態躍遷概率并反演時域磁場信號，對時域磁場信號進行短時傅里葉變換生成磁場漲落譜，鎖定微裂紋對應的特征諧振頻點集合； 根據特征諧振頻點集合構建Vietoris-Rips復形，計算持續同調特征并生成生命周期分布圖，基于生命周期分布圖的Betti數計算缺陷風險指數，篩選出缺陷風險指數大于0.15的高風險芯片； 遍歷高風險芯片的列表，對高風險芯片施加動態偏置溫度應力，通過電熱耦合效應計算柵氧陷阱密度變化率，篩選出符合標準的芯片； 將激勵信號庫、特征諧振頻點集合、高風險芯片以及符合標準的芯片輸入至深度確定性策略梯度模型進行訓練，以測試覆蓋率與誤判率為獎勵函數，通過交互式訓練優化激勵組合權重、頻段優先級及應力加載時序，最終輸出自適應測試策略； 其中，所述根據特征諧振頻點集合構建Vietoris-Rips復形，計算持續同調特征并生成生命周期分布圖，基于生命周期分布圖的Betti數計算缺陷風險指數，篩選出缺陷風險指數大于0.15的高風險芯片，包括： 基于特征諧振頻點集合，將頻點映射為高維空間中的點，根據預設的點間距閾值，連接鄰近點以形成復形，進而得到頻點空間關聯性的拓撲結構模型，通過對拓撲結構模型中的尺度參數進行遞增擴展，計算復形在一維同調群中的持續同調特征，同時記錄環形拓撲結構的生成與消失過程，生成包含各環形結構生命周期的原始數據集合； 對生成的原始數據集合進行分析，提取特征諧振頻點集合中與缺陷頻段相關聯的一維環形拓撲特征的生命周期分布圖，在生命周期分布圖中，橫軸表示頻點間距尺度參數，縱軸表示環形結構的持久性長度，通過量化持久性長度與頻點密度的關聯性，生成缺陷風險空間映射關系； 基于缺陷風險空間映射關系，統計各頻段區間的Betti數的環形數量，得到統計結果，計算缺陷風險指數，篩選出缺陷風險指數大于0.15的高風險芯片，并輸出相應列表，其計算公式如下： 式中，為缺陷風險指數，為一維同調群環形拓撲特征的持久性總和，cardfd為特征諧振頻點集合中的頻點數量。

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