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龍圖騰網獲悉深圳市威兆半導體股份有限公司申請的專利半導體功率器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120379295B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510858120.3，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體功率器件及其制備方法是由彭祎銘;李偉聰;姜春亮;雷秀芳設計研發完成，并于2025-06-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體功率器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體技術領域，公開了一種半導體功率器件及其制備方法，包括：提供一N+襯底，在所述N+襯底上形成第一外延層，在所述第一外延層上形成第一P型擴散區；在所述第一外延層上形成至少一第二外延層，在所述第二外延層上形成第二P型擴散區；在所述第二外延層上形成至少一第三外延層，在所述第三外延層上形成第三P型擴散區；在所述第三外延層上形成第四外延層，以及將所述第一P型擴散區、所述第二P型擴散區及所述第三P型擴散區連接為一體；在所述第四外延層的柵溝槽上形成雙層屏蔽柵結構。本申請在耐壓相同的前提下，降低半導體功率器件的單位面積導通電阻，降低導通損耗。

本發明授權半導體功率器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體功率器件制備方法，其特征在于，包括： 提供一N+襯底； 在所述N+襯底上形成相同摻雜類型的第一外延層，對所述第一外延層進行離子注入后，在所述第一外延層上形成第一P型擴散區； 在所述第一外延層上形成至少一第二外延層，對所述第二外延層進行離子注入后，在所述第二外延層上形成第二P型擴散區； 在所述第二外延層上形成至少一第三外延層，對所述第三外延層進行離子注入后，在所述第三外延層上形成第三P型擴散區； 在所述第三外延層上形成第四外延層，以及通過高溫擴散將所述第一P型擴散區、所述第二P型擴散區及所述第三P型擴散區連接為一體，以構成功能擴散區，所述功能擴散區形成在部分的所述第一外延層、第二外延層、第三外延層及第四外延層中，以及在由所述第四外延層至所述N+襯底方向，所述第一P型擴散區、所述第二P型擴散區及所述第三P型擴散區同一側的側邊連線的曲線輪廓呈正態分布，以及所述高溫擴散在1000℃至1150℃條件下擴展30min至90min； 在所述第四外延層上形成若干個柵溝槽，以及在所述柵溝槽上形成雙層屏蔽柵結構； 在所述第四外延層上相鄰的所述柵溝槽之間進行自對準離子注入，形成P型體區及位于所述P型體區之上的N+源區； 在所述第四外延層上形成連接至所述P型體區內的接觸孔區和覆蓋所述接觸孔區的源極金屬層，以及所述N+襯底背金形成漏區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市威兆半導體股份有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區桃源街道福光社區留仙大道3370號南山智園崇文園區3號樓1301；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。