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龍圖騰網(wǎng)獲悉南通咸昌新材料科技有限公司申請(qǐng)的專利一種用于磷化銦晶片的高壓退火裝置及退火方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120425464B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510928745.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B33/02；該發(fā)明授權(quán)一種用于磷化銦晶片的高壓退火裝置及退火方法是由張鋒;王懷利;謝月林設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-07向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種用于磷化銦晶片的高壓退火裝置及退火方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種用于磷化銦晶片的高壓退火裝置和退火方法，包括耐高壓箱體以及設(shè)于耐高壓箱體內(nèi)的加熱器和石英管；加熱器分為高溫端加熱器和低溫端加熱器，石英管一側(cè)為低溫端，另一側(cè)為高溫端；所述石英管內(nèi)真空密封有用于盛放紅磷的石英舟，以及用于放置磷化銦晶片的晶片樣品架；石英舟設(shè)于石英管的低溫端，晶片樣品架設(shè)于石英管的高溫端；所述晶片樣品架為弧形凹裝結(jié)構(gòu)，晶片樣品架上側(cè)并列設(shè)有多個(gè)用于豎立放置晶片的樣品槽；本方案通過可以實(shí)現(xiàn)在較高溫度下對(duì)晶片進(jìn)行退火的目的，能夠有效避免高溫下磷化銦的分解，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)多片磷化銦晶片的批量同步退火，高溫下退火能有效降低晶片內(nèi)應(yīng)力，提高晶片的電學(xué)性能和機(jī)械性能，降低碎片率。

本發(fā)明授權(quán)一種用于磷化銦晶片的高壓退火裝置及退火方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于磷化銦晶片的高壓退火裝置，其特征在于，包括耐高壓箱體以及設(shè)于耐高壓箱體內(nèi)的加熱器和石英管；所述加熱器分為高溫端加熱器和低溫端加熱器，所述石英管一側(cè)為低溫端，另一側(cè)為高溫端；所述低溫端加熱器設(shè)于石英管的低溫端外側(cè)，高溫端加熱器設(shè)于石英管的高溫端外側(cè)；所述石英管內(nèi)真空密封有用于盛放紅磷的石英舟，以及用于放置磷化銦晶片的晶片樣品架；所述石英舟設(shè)于石英管的低溫端，晶片樣品架設(shè)于石英管的高溫端，所述耐高壓箱體內(nèi)壁設(shè)有冷卻液管道或耐高壓箱體內(nèi)具有用于供冷卻液流通的夾層；所述晶片樣品架為弧形凹裝結(jié)構(gòu)，晶片樣品架上側(cè)并列設(shè)有多個(gè)用于豎立放置晶片的樣品槽； 所述樣品槽底部為弧形，樣品槽底部弧線的曲率小于晶片圓周的曲率；將耐高壓箱體的一側(cè)抬高時(shí)，豎立放置的晶片沿樣品槽滾動(dòng)并停靠在新的位置，從而起到防止退火過程中晶片出現(xiàn)形變、重心偏移的效果； 所述晶片樣品架的樣品槽兩側(cè)壁上端可拆卸的設(shè)有安裝條，安裝條近樣品槽一側(cè)壁上設(shè)有多個(gè)用于減少晶片側(cè)面與樣品槽接觸面積的凸臺(tái)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人南通咸昌新材料科技有限公司，其通訊地址為：226500 江蘇省南通市如皋市磨頭鎮(zhèn)丁磨公路159號(hào)A2幢；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。