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龍圖騰網獲悉無錫尚積半導體科技股份有限公司申請的專利異型靶材同步自清潔的PVD預清潔腔體及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120425314B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510926874.8，技術領域涉及：C23C14/56；該發明授權異型靶材同步自清潔的PVD預清潔腔體及方法是由許磊;劉超;宋永輝;王世寬設計研發完成，并于2025-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本異型靶材同步自清潔的PVD預清潔腔體及方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種異型靶材同步自清潔的PVD預清潔腔體及方法，異型靶材同步自清潔的PVD預清潔腔體包括遮擋件、ICP發生件、自偏壓晶圓載臺、異型靶材組件、電磁鐵組件；異型靶材組件的結構使得鋁粒子的濺射區域既能夠覆蓋遮擋件的內壁，又不會濺射到晶圓載臺的正面，不會影響晶圓表面的清潔過程，工藝腔體的自清潔過程無需中斷晶圓工藝的加工過程，無需額外引入濺射材料。

本發明授權異型靶材同步自清潔的PVD預清潔腔體及方法在權利要求書中公布了：1.一種異型靶材同步自清潔的PVD預清潔腔體，包括工藝腔本體（10），其特征在于，所述工藝腔本體（10）內設置有： 遮擋件（100），配置為開口朝下的球面形結構，其內側形成工藝空間； ICP發生件（200），將所述工藝空間內的工藝氣體電離成等離子體； 自偏壓晶圓載臺（300），沿豎直方向在載臺低位和載臺高位之間升降，將等離子體中的氣體離子向下牽引； 異型靶材組件（400），對應設置在所述遮擋件（100）的開口處，包括鋁件（410）、絕緣件（420），所述鋁件（410）具有自上而下逐漸收縮的內壁，以使得所述鋁件（410）的內表面與水平方向形成0°-90°的濺射傾角，所述濺射傾角使濺射鋁粒子的軌跡覆蓋遮擋件（100）的內壁而避開晶圓表面，所述絕緣件（420）包被在所述鋁件（410）的下邊緣處； 電磁鐵組件（500），設置在所述異型靶材組件（400）外圍，用于束縛和延長電子在所述異型靶材組件（400）內側的運動軌跡； 其中，當所述自偏壓晶圓載臺（300）處于載臺高位時，其承載面與所述異型靶材組件（400）的下開口保持0.5mm-10mm的垂直距離； 所述鋁件（410）包括： 收縮部（411），其直徑自上而下逐漸縮?。?上水平部（412），銜接于所述收縮部（411）的上側邊沿處； 下水平部（413），銜接于所述收縮部（411）的下側邊沿處； 其中，所述收縮部（411）的內側面為R20-R50的圓弧面或錐面。

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