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龍圖騰網獲悉泰科天潤半導體科技(北京)有限公司申請的專利一種肖特基二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110610982B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910814838.7，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種肖特基二極管及其制備方法是由宋安英;張瑜潔;劉剛;單體偉;陳彤設計研發完成，并于2019-08-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種肖特基二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種肖特基二極管包括：一N+襯底和位于所述N+襯底之上的N?外延層；一肖特基金屬層單元，所述肖特基金屬層單元覆蓋于所述N?外延層表面，所述肖特基金屬層單元包括復數層肖特基金屬層，且相鄰兩層的肖特基金屬層的金屬不同；一位于所述肖特基金屬層單元之上的陽極金屬；以及，一位于所述N+襯底另一表面的陰極金屬；本發明還提供一種肖特基二極管的制備方法，可以相對靈活地調整肖特基勢壘，得到理想的正向壓降和可接受的反向漏電流。

本發明授權一種肖特基二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種肖特基二極管，其特征在于：包括： 一N+襯底和位于所述N+襯底之上的N-外延層，所述N-外延層上間隔設有復數個p+注入區； 一肖特基金屬層單元，所述肖特基金屬層單元覆蓋于所述N-外延層表面，所述肖特基金屬層單元包括多層肖特基金屬層，相鄰兩層肖特基金屬層的金屬功函數不同，所述多層為大于兩層；其中，奇數層的肖特基金屬的金屬功函數小于偶數層肖特基金屬的金屬功函數； 正向導通時，電子流經肖特基接觸區域，即為金屬與碳化硅外延層接觸的肖特基接觸區域導電，正向壓降V F公式：； 其中V F為正向壓降，φ B為肖特基勢壘；當半導體-金屬界面處的肖特基勢壘降低后，V F也降低，從而使二極管的功耗減小；而肖特基勢壘是金屬功函數與半導體親和勢的差值，在半導體材料確定的情況下，通過改變金屬種類改變肖特基勢壘，為了得到較低的肖特基勢壘φ B，采用功函數小的金屬作為直接與半導體接觸的第一肖特基金屬； 正向壓降和反向漏電是一對呈現制約關系的物理量，肖特基勢壘太低同時意味著反向漏電流的增大，反向漏電流I R公式：； 隨著反向偏壓V R的增大，鏡像力降低效應將進一步降低肖特基勢壘，使反向漏電流增加；此時需要功函數大的金屬，調節肖特基勢壘至合適的大小，作為第二肖特基金屬；根據需求、正向壓降V F公式以及反向漏電流I R公式，選擇所需的第一肖特基金屬和第二肖特基金屬；所述肖特基金屬層單元的厚度為150~250nm； 一位于所述肖特基金屬層單元之上的陽極金屬； 以及，一位于所述N+襯底另一表面的陰極金屬。

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