英飛凌科技奧地利有限公司T.法伊爾獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉英飛凌科技奧地利有限公司申請的專利半導體晶體管器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112186039B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010630300.3，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權半導體晶體管器件及其制造方法是由T.法伊爾設計研發完成，并于2020-07-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體晶體管器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種半導體晶體管器件（1），具有：源極區（2）；本體區（3），其包括豎直溝道區（3.1）；漏極區（4）；柵極區（6），其側向位于溝道區（3.1）的旁邊；通過摻雜形成的本體接觸區（7）；擴散阻擋層（20.1）；以及由導電材料形成的導電區（8），其中本體接觸區（7）電接觸本體區（3），擴散阻擋層（20.1）布置在其之間，并且其中本體接觸區（7）的摻雜與本體區（3）的摻雜相比具有相同的導電類型但是具有更高的濃度，并且其中導電區（8）具有接觸區（8.1），其形成與本體接觸區（7）的電接觸，導電區（8）的接觸區（8.1）豎直布置在溝道區（3.1）的上端（25.1）上方。
本發明授權半導體晶體管器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體晶體管器件，具有： 源極區， 包括豎直溝道區的本體區， 漏極區， 柵極區，側向地在所述溝道區的旁邊， 通過摻雜而形成的本體接觸區， 擴散阻擋層，以及 由導電材料形成的導電區， 其中，所述本體接觸區電接觸所述本體區，所述擴散阻擋層被布置在它們之間， 并且其中，所述本體接觸區的摻雜與所述本體區的摻雜相比具有相同的導電類型但具有更高的濃度， 并且其中，所述導電區具有接觸區，其形成朝向所述本體接觸區的電接觸，所述導電區的所述接觸區被豎直地布置在所述溝道區的上端上方， 其中，所述擴散阻擋層包括Si和氧摻雜Si的交替子層。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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