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龍圖騰網(wǎng)獲悉日亞化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體元件的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112635298B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011013779.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體元件的制造方法是由西影治彥;宮本佳典;細(xì)川泰伸設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-24向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體元件的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供半導(dǎo)體元件的制造方法，其能夠提高成品率。半導(dǎo)體元件的制造方法具備：準(zhǔn)備晶圓10的工序，晶圓在上表面15包含第一區(qū)域11和第二區(qū)域12，第二區(qū)域設(shè)于第一區(qū)域的周圍并位于比第一區(qū)域低的位置；在晶圓的上表面形成由氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層20的工序。在俯視時(shí)，第一區(qū)域在第一方向上的端部具有延伸突出部11b，第一方向是通過晶圓的中心并且與半導(dǎo)體層的m軸平行的方向，延伸突出部向從晶圓的中心朝向晶圓的端緣側(cè)的方向延伸突出。延伸突出部具有平行于第三方向的第一側(cè)面12c，第三方向是相對(duì)于與晶圓的第一方向上的端緣的第一切線平行的第二方向以5°以上55°以下的角度傾斜的方向。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體元件的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，具備： 準(zhǔn)備晶圓的工序，該晶圓由藍(lán)寶石構(gòu)成，在上表面包含第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第二區(qū)域設(shè)于所述第一區(qū)域的周圍，并位于比所述第一區(qū)域低的位置； 使由氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層在所述晶圓的上表面外延生長的工序； 在俯視時(shí)，所述第一區(qū)域在第一方向上的端部具有延伸突出部，所述第一方向是通過所述晶圓的中心并且與所述半導(dǎo)體層的m軸平行的方向，所述延伸突出部向從所述晶圓的所述中心朝向所述晶圓的端緣側(cè)的方向延伸突出， 所述延伸突出部具有平行于第三方向的第一側(cè)面，所述第三方向是相對(duì)于與所述晶圓的所述第一方向上的端緣的切線平行的第二方向以5°以上55°以下的角度傾斜的方向。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人日亞化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社，其通訊地址為：日本德島縣；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。