住友電氣工業株式會社山村拓嗣獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉住友電氣工業株式會社申請的專利高電子遷移率晶體管的制造方法和高電子遷移率晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112614783B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011038645.6，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權高電子遷移率晶體管的制造方法和高電子遷移率晶體管是由山村拓嗣;西口賢彌;住吉和英設計研發完成，并于2020-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本高電子遷移率晶體管的制造方法和高電子遷移率晶體管在說明書摘要公布了：本發明涉及高電子遷移率晶體管的制造方法和高電子遷移率晶體管。所述制造高電子遷移率晶體管的方法包括以下步驟：以700℃或以上且900℃或以下的第一爐溫度，通過低壓化學氣相沉積法，在由氮化物半導體組成并且包括阻擋層的半導體疊層的表面上形成第一SiN膜；以700℃或以上且900℃或以下的第二爐溫度且爐壓力為1Pa或以下，通過爐中的水分和氧氣，在第一SiN膜上形成界面氧化層；以700℃或以上且900℃或以下的第三爐溫度，通過低壓化學氣相沉積法，在界面氧化層上形成第二SiN膜。
本發明授權高電子遷移率晶體管的制造方法和高電子遷移率晶體管在權利要求書中公布了：1.一種制造高電子遷移率晶體管的方法，包括步驟： 以700℃或以上且900℃或以下的第一爐溫度，通過低壓化學氣相沉積法，在由氮化物半導體組成并且包括阻擋層的半導體疊層的表面上形成第一SiN膜； 以700℃或以上且900℃或以下的第二爐溫度且為1Pa或以下的爐壓力，通過所述爐中的水分和氧氣，在所述第一SiN膜上形成具有1nm或更小的厚度的界面氧化層；以及 以700℃或以上且900℃或以下的第三爐溫度，通過所述低壓化學氣相沉積法，在所述界面氧化層上形成第二SiN膜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人住友電氣工業株式會社，其通訊地址為：日本大阪府大阪市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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