特利丹E2V半導體簡化股份公司卡羅琳·帕帕克斯獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉特利丹E2V半導體簡化股份公司申請的專利有源像素口內(nèi)放射圖像傳感器及相關(guān)的圖像捕獲方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN112653853B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202011083764.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H04N25/63;該發(fā)明授權(quán)有源像素口內(nèi)放射圖像傳感器及相關(guān)的圖像捕獲方法是由卡羅琳·帕帕克斯;皮埃爾·費雷爾;拉斐爾·內(nèi)里設(shè)計研發(fā)完成,并于2020-10-12向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本有源像素口內(nèi)放射圖像傳感器及相關(guān)的圖像捕獲方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及有源像素口內(nèi)放射圖像傳感器及相關(guān)的圖像捕獲方法。開關(guān)電路MUX1在檢測X射線閃光開始的第一階段允許連接公共連接節(jié)點NC,該公共連接節(jié)點NC對應(yīng)于電流?電壓轉(zhuǎn)換檢測電路DTX1的輸入處的光電二極管初始化晶體管M1的漏極,當矩陣中的所有光電二極管產(chǎn)生的電流超過預(yù)定閾值時,該漏極提供輸出信號以檢測X射線閃光的開始。通過注入由這些像素的光電二極管產(chǎn)生的,并且在與第一者電隔離的不同公共連接節(jié)點上收集的電流,可以使用相同的原理利用矩陣的某些像素檢測X射線閃光的結(jié)束,閃光信號的結(jié)束對應(yīng)于低于預(yù)定閾值的該電流的變化。
本發(fā)明授權(quán)有源像素口內(nèi)放射圖像傳感器及相關(guān)的圖像捕獲方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種使用MOS技術(shù)的口內(nèi)放射圖像傳感器,包括: -以行和列排列的光敏像素的矩陣M-PIX,每個像素Pij包括光電二極管PH和晶體管,其中包括連接在所述像素的光電二極管節(jié)點KNi與所述像素共有的第一連接節(jié)點NC之間的光電二極管初始化晶體管M1; -排序電路DM,其提供信號以命令所述像素的所述晶體管在暴露于X射線閃光FX期間控制圖像捕獲序列300,其中包括所述像素的所述光電二極管的整體初始化階段301、積分時間段期間的電荷積分階段302以及讀取所述像素階段303; 所述傳感器的特征在于,包括由第一邏輯信號PROB1控制的第一耦合開關(guān)MUX1,用于將所述第一連接節(jié)點NC連接到第一電流檢測電路DTX1的信號輸入IN-DTX1或連接到光電二極管初始化電壓源VRS,從而所述第一邏輯信號分別處于第一邏輯狀態(tài)或第二邏輯狀態(tài);以及 -所述傳感器的排序電路DM,其被配置為控制由所述第一電流檢測電路DTX1檢測暴露于X射線閃光的開始以觸發(fā)所述圖像捕獲序列300的階段200,包括以下操作: -a命令所述光電二極管初始化晶體管M1同時在所有像素中切換到導通狀態(tài);以及 -b確認所述第一邏輯信號PROB1處于所述第一邏輯狀態(tài),其作用是在所述第一電流檢測電路的所述信號輸入IN-DTX1處注入在所述第一連接節(jié)點NC上收集的源自所述像素的所述光電二極管的電流I;然后 -c當所述第一電流檢測電路的輸出邏輯信號OUT-DTX1從第一邏輯狀態(tài)切換到第二邏輯狀態(tài)時,對應(yīng)于檢測到輸入電流電平高于預(yù)定閾值,確認所述第一邏輯信號PROB1處于所述第二邏輯狀態(tài),其作用是將始終處于導通狀態(tài)的所述初始化晶體管M1耦合到所述初始化電壓源VRS,從而激活所述圖像捕獲序列的所述整體初始化階段301,以在所述積分階段之前初始化所述光電二極管; 其中所述矩陣的像素組E的初始化晶體管不與所述第一連接節(jié)點NC連接,而與第二連接節(jié)點NCE連接,所述第二連接節(jié)點與所述第一連接節(jié)點電隔離,所述傳感器還包括第二電流檢測電路DTX2,其與所述第一電流檢測電路的類型相同,并由相同的時鐘信號Φctia控制,其輸入信號IN-DTX2連接到所述第二連接節(jié)點NCE,所述傳感器的排序電路DM被配置為在所述檢測曝光開始的階段200: -命令所述矩陣的所有像素的所述初始化晶體管M1切換到導通狀態(tài),其中包括耦合到所述第二連接節(jié)點的所述組中的像素;以及 -在檢測到所述第一電流檢測電路DTX1的輸出信號OUT-DTX1的切換時: -使所述組中的所述像素的所述初始化晶體管M1保持處于導通狀態(tài),至少直到檢測到所述第二電流檢測電路的所述輸出信號OUT-DTX2的切換為止,所述切換對應(yīng)于在所述輸入處注入并且在所述第二連接節(jié)點NCE上收集的低于預(yù)定閾值的電流;以及 -在檢測到所述第二電流檢測電路的所述輸出信號OUT-DTX2的切換指示檢測到暴露于X射線閃光的結(jié)束時,停止所述圖像捕獲序列300的積分階段以啟動所述讀取階段。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人特利丹E2V半導體簡化股份公司,其通訊地址為:法國圣埃格雷夫;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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