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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115666130B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110777160.7，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體結構及其制造方法是由肖德元設計研發完成，并于2021-07-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明實施例提供一種半導體結構及其制造方法，半導體結構包括：半導體基底，半導體基底包括邏輯器件區以及存儲器區；位線以及與位線同層設置的電接觸層，位線位于存儲器區內，電接觸層位于邏輯器件區內；第一半導體通道，位于位線表面，第二半導體通道，第二半導體通道與第一半導體通道同層設置，且位于電接觸層表面；字線以及與字線同層設置的柵極；電容結構，與第一半導體通道的第二摻雜區相接觸；電連接結構，與第二半導體通道的第四摻雜區相接觸；介質層，位于位線與字線之間，且還位于字線遠離半導體基底的一側。本發明實施例有利于在半導體結構內實現存內計算，以提高半導體結構的工作效率和降低半導體結構的工作能耗。

本發明授權半導體結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 半導體基底，所述半導體基底包括邏輯器件區以及存儲器區； 位線以及與所述位線同層設置的電接觸層，所述位線位于所述存儲器區的所述半導體基底上，所述電接觸層位于所述邏輯器件區的所述半導體基底上； 第一半導體通道，所述第一半導體通道位于所述位線表面，在沿所述半導體基底指向所述位線的方向上，所述第一半導體通道包括依次排列的第一摻雜區、第一溝道區以及第二摻雜區，所述第一摻雜區與所述位線相接觸； 第二半導體通道，所述第二半導體通道與所述第一半導體通道同層設置，且位于所述電接觸層表面，在沿所述半導體基底指向所述電接觸層的方向上，所述第二半導體通道包括依次排列的第三摻雜區、第二溝道區以及第四摻雜區，所述第三摻雜區與所述電接觸層相接觸； 字線以及與所述字線同層設置的柵極，所述字線環繞所述第一溝道區設置，所述柵極環繞所述第二溝道區設置； 電容結構，所述電容結構位于所述第二摻雜區遠離所述第一溝道區的一側，且所述電容結構與所述第二摻雜區相接觸； 電連接結構，所述電連接結構位于所述第四摻雜區遠離所述第二溝道區的一側，且所述電連接結構與所述第四摻雜區相接觸； 介質層，所述介質層位于所述位線與所述字線之間，且還位于所述字線遠離所述半導體基底的一側； 所述半導體基底包括： 半導體襯底； 第一半導體阱層，設置于所述存儲器區的所述半導體襯底上，且所述位線位于所述第一半導體阱層遠離所述半導體襯底的表面；所述第一半導體阱層在所述半導體襯底上的正投影與所述位線在所述半導體襯底上的正投影重合； 第二半導體阱層，設置于所述邏輯器件區的所述半導體襯底上，且所述電接觸層位于所述第二半導體阱層遠離所述半導體襯底的表面。

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