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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115643746B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110811874.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法是由占夢丹設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-07-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備方法包括提供基底，在基底上形成依次層疊設(shè)置的第一初始導(dǎo)電層、犧牲層以及具有圖案的第一掩膜層，犧牲層的厚度為10nm～20nm；以第一掩膜層作為掩膜版，刻蝕第一初始導(dǎo)電層和基底，以形成位線接觸區(qū)。本申請通過降低犧牲層的厚度，在后續(xù)刻蝕犧牲層和第一初始導(dǎo)電層時(shí)，在將全部的犧牲層刻蝕的同時(shí)，也能夠去除原本被犧牲層遮擋住部分厚度的第一初始導(dǎo)電層，使得被保留下來的第一初始導(dǎo)電層的厚度降低，進(jìn)而降低位線接觸區(qū)的深度，當(dāng)向位線接觸區(qū)沉積第二導(dǎo)電層時(shí)，可以避免第二導(dǎo)電層內(nèi)形成空隙，降低位線接觸的電阻，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的傳輸性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 提供基底； 在所述基底上形成依次層疊設(shè)置的第一初始導(dǎo)電層和犧牲層，所述犧牲層的厚度為10nm～20nm； 在所述犧牲層上形成具有圖案的第一掩膜層； 以所述第一掩膜層作為掩膜版，去除所述犧牲層以及部分所述第一初始導(dǎo)電層和部分所述基底，以在所述第一初始導(dǎo)電層和所述基底內(nèi)形成位線接觸區(qū)，被保留下來的第一初始導(dǎo)電層構(gòu)成第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層的厚度占所述第一初始導(dǎo)電層厚度的25～35； 在所述位線接觸區(qū)內(nèi)形成第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層填充滿所述位線接觸區(qū)。

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