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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利感測放大電路和數(shù)據(jù)讀出方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115910149B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110998264.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C11/4091；該發(fā)明授權(quán)感測放大電路和數(shù)據(jù)讀出方法是由池性洙設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-08-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本感測放大電路和數(shù)據(jù)讀出方法在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體電路設(shè)計領(lǐng)域，涉及一種感測放大電路和數(shù)據(jù)讀出方法，包括：第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管；第一控制MOS管用于根據(jù)控制信號向第一PMOS管提供偏置電壓；第二控制MOS管用于根據(jù)控制信號向第二PMOS管提供偏置電壓；第一偏移消除MOS管用于根據(jù)偏移消除信號使所處初始位線與第一互補讀出位線電連接；第二偏移消除MOS管用于根據(jù)偏移消除信號使初始互補位線與第一讀出位線電連接，通過第一控制MOS管和第二控制MOS管分別向第一PMOS管和第二PMOS管提供穩(wěn)定柵極電壓，以穩(wěn)定地消除感測放大電路中的偏移噪聲，同時避免位線和互補位線上的電壓波動。

本發(fā)明授權(quán)感測放大電路和數(shù)據(jù)讀出方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種感測放大電路，設(shè)置在相鄰存儲陣列之間，其特征在于，包括： 第一PMOS管，其柵極連接第二讀出位線，其漏極連接第一互補讀出位線，其源極連接第一信號端； 第一NMOS管，其柵極連接初始位線，其漏極連接所述第一互補讀出位線，其源極連接第二信號端，所述初始位線連接相鄰所述存儲陣列中一所述存儲陣列； 第二PMOS管，其柵極連接第二互補讀出位線，其漏極連接第一讀出位線，其源極連接所述第一信號端； 第二NMOS管，其柵極連接初始互補位線，其漏極連接所述第一讀出位線，其源極連接所述第二信號端，所述初始互補位線連接相鄰所述存儲陣列中另一所述存儲陣列； 所述第一信號端用于接收第一電平信號，所述第二信號端用于接收第二電平信號； 第一控制MOS管，其源極連接所述第二讀出位線，其柵極用于接收控制信號，其漏極用于接收偏置電壓，用于根據(jù)所述控制信號向所述第一PMOS管提供偏置電壓； 第二控制MOS管，其源極連接所述第二互補讀出位線，其柵極用于接收所述控制信號，漏極用于接收所述偏置電壓，用于根據(jù)所述控制信號向所述第二PMOS管提供偏置電壓； 第一偏移消除MOS管，其源極連接所述初始位線，其漏極連接所述第一互補讀出位線，其柵極用于接收偏移消除信號，用于根據(jù)所述偏移消除信號使所處初始位線與所述第一互補讀出位線電連接； 第二偏移消除MOS管，其源極連接所述初始互補位線，其漏極連接所述第一讀出位線，其柵極用于接收所述偏移消除信號，用于根據(jù)所述偏移消除信號使所述初始互補位線與所述第一讀出位線電連接； 所述控制信號與所述偏移消除信號相同。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人長鑫存儲技術(shù)有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。