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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利一種接觸插塞的測試結(jié)構(gòu)及其形成方法、測試方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115985889B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111202890.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/544；該發(fā)明授權(quán)一種接觸插塞的測試結(jié)構(gòu)及其形成方法、測試方法是由龍強(qiáng)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-15向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種接觸插塞的測試結(jié)構(gòu)及其形成方法、測試方法在說明書摘要公布了：本公開實(shí)施例公開了一種接觸插塞的測試結(jié)構(gòu)，所述測試結(jié)構(gòu)包括：襯底；設(shè)置于所述襯底上的多個(gè)有源區(qū)域；設(shè)置于所述襯底上的多個(gè)接觸插塞，同一所述有源區(qū)域上形成至少兩個(gè)接觸插塞，且所述接觸插塞的底部與所述有源區(qū)域電連接；多個(gè)連接件，每一所述連接件電連接分別位于不同有源區(qū)域上的所述接觸插塞，使得所述有源區(qū)域、所述接觸插塞和所述連接件形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)；位于所述襯底上的多個(gè)偽柵極，所述偽柵極至少位于所述接觸插塞的一側(cè)。本公開的測試結(jié)構(gòu)與實(shí)際集成電路應(yīng)用的結(jié)構(gòu)更加接近，這樣的測試結(jié)構(gòu)更加能夠反映接觸插塞的工藝情況，可以較準(zhǔn)確的測試出接觸插塞的電阻值。

本發(fā)明授權(quán)一種接觸插塞的測試結(jié)構(gòu)及其形成方法、測試方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種接觸插塞的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 襯底； 設(shè)置于所述襯底上的多個(gè)有源區(qū)域； 設(shè)置于所述襯底上的多個(gè)接觸插塞，同一所述有源區(qū)域上形成至少兩個(gè)接觸插塞，且所述接觸插塞的底部與所述有源區(qū)域電連接； 多個(gè)連接件，每一所述連接件電連接分別位于不同有源區(qū)域上的所述接觸插塞，使得所述有源區(qū)域、所述接觸插塞和所述連接件形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)； 位于所述襯底上的多個(gè)偽柵極，所述偽柵極至少位于所述接觸插塞的一側(cè)； 至少一個(gè)所述接觸插塞的側(cè)壁具有凹陷部，所述接觸插塞的側(cè)壁在所述凹陷部處沿側(cè)向方向向內(nèi)凹陷，且所述凹陷部位于所述接觸插塞的朝向相鄰的所述偽柵極的一側(cè)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。