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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利接觸結構的制備方法及接觸結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116096070B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111286549.8，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權接觸結構的制備方法及接觸結構是由辛欣;王景皓設計研發完成，并于2021-11-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本接觸結構的制備方法及接觸結構在說明書摘要公布了：本公開提供一種接觸結構的制備方法及接觸結構。本公開提供的接觸結構的制備方法包括：提供一襯底，所述襯底的表面上依次設置第一多晶硅層和第一掩膜層；對所述第一多晶硅層和所述第一掩膜層實施第一刻蝕工藝，形成所述第一掩模層寬度小于所述第一多晶硅層寬度的臺階型結構；以所述第一多晶硅層為掩膜對所述襯底實施第二刻蝕工藝，形成溝槽；在所述溝槽中沉積第二多晶硅層，所述第二多晶硅層頂部高度不高于所述第一掩模層的底部；進行退火工藝，形成接觸結構。本公開通過在接觸結構的制備過程中采用臺階型結構，改善了多晶硅層中孔隙過多的問題，并通過退火工藝進一步改善多晶硅生長產生的空洞，提高了接觸結構的質量，改善了缺陷問題。

本發明授權接觸結構的制備方法及接觸結構在權利要求書中公布了：1.一種接觸結構的制備方法，其特征在于，包括： 提供一襯底，在所述襯底的表面形成疊層，所述疊層從下到上包括絕緣層、第三多晶硅預備層、第一犧牲層、第二掩膜層、第二犧牲層、以及第三掩膜層； 刻蝕所述第二犧牲層和所述第三掩膜層，形成第一凹槽； 在所述第一凹槽內形成第三犧牲層，覆蓋所述第二掩膜層、所述第二犧牲層以及所述第三掩膜層； 去除部分所述第三犧牲層至與所述第三掩膜層的頂部齊平； 去除所述第二犧牲層和第三掩膜層； 以所述第三犧牲層為掩膜刻蝕所述第二掩膜層、所述第一犧牲層、所述第三多晶硅預備層，形成第二凹槽、第一掩膜層、以及第一多晶硅層； 去除所述第三犧牲層以及所述第二掩膜層； 對所述第一多晶硅層和所述第一掩膜層實施第一刻蝕工藝，形成所述第一掩膜層寬度小于所述第一多晶硅層寬度的臺階型結構； 以所述第一多晶硅層為掩膜對所述襯底實施第二刻蝕工藝，形成溝槽； 在所述溝槽中沉積第二多晶硅層，所述第二多晶硅層頂部高度不高于所述第一掩膜層的底部； 進行退火工藝，形成接觸結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。