買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利熔絲結(jié)構(gòu)、形成方法及可編程存儲器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116093067B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111296012.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/525；該發(fā)明授權(quán)熔絲結(jié)構(gòu)、形成方法及可編程存儲器是由劉志拯設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-11-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本熔絲結(jié)構(gòu)、形成方法及可編程存儲器在說明書摘要公布了：本申請實施例公開了一種熔絲結(jié)構(gòu)、形成方法及可編程存儲器，所述熔絲結(jié)構(gòu)包括：柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)至少部分形成在襯底的有源區(qū)上；第一電極，所述第一電極形成在所述襯底的有源區(qū)上，并與所述柵極結(jié)構(gòu)間隔排布；第二電極，所述第二電極至少形成在所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)面；隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)形成在所述有源區(qū)與所述第二電極之間。本申請實施例有助于減小導(dǎo)電電阻，增大擊穿電流，降低熔絲介質(zhì)層的擊穿難度。

本發(fā)明授權(quán)熔絲結(jié)構(gòu)、形成方法及可編程存儲器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種熔絲結(jié)構(gòu)，包括： 柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)至少部分形成在襯底的有源區(qū)上； 第一電極，所述第一電極形成在所述襯底的有源區(qū)上，并與所述柵極結(jié)構(gòu)間隔排布； 第二電極，所述第二電極至少形成在所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)面； 隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)形成在所述有源區(qū)與所述第二電極之間； 其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極材料層；所述柵極材料層包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層在平行于所述襯底的方向上鄰接，所述第一導(dǎo)電層鄰接所述第二電極。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人長鑫存儲技術(shù)有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。