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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所申請(qǐng)的專(zhuān)利一種紫外激光器外延片及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115733052B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202111401026.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/34；該發(fā)明授權(quán)一種紫外激光器外延片及其制備方法是由楊靜;趙德剛;梁鋒;劉宗順;陳平設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-19向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種紫外激光器外延片及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種紫外激光器外延片及其制備方法，該制備方法包括：在n型GaN層上制備第一AlGaN限制層，其中，第一AlGaN限制層的Al的組分濃度沿第一方向增加，第一方向?yàn)閚型GaN層朝向第一AlGaN限制層的方向；在第一AlGaN限制層上制備第一波導(dǎo)層；在第一波導(dǎo)層上制備量子阱發(fā)光層，其中，量子阱發(fā)光層的發(fā)光波長(zhǎng)范圍包括330nm至390nm；在量子阱發(fā)光層上制備第二波導(dǎo)層；以及在第二波導(dǎo)層上制備第二AlGaN限制層，其中，第二AlGaN限制層的Al的組分濃度沿第一方向減小。

本發(fā)明授權(quán)一種紫外激光器外延片及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種紫外激光器外延片的制備方法，包括： 在n型GaN層（1）上制備第一AlGaN限制層（2），其中，所述第一AlGaN限制層（2）的Al的組分濃度沿第一方向增加，所述第一方向?yàn)樗鰊型GaN層（1）朝向所述第一AlGaN限制層（2）的方向； 在所述第一AlGaN限制層（2）上制備第一波導(dǎo)層（3）； 在所述第一波導(dǎo)層（3）上制備量子阱發(fā)光層（4），其中，所述量子阱發(fā)光層（4）的發(fā)光波長(zhǎng)范圍包括330nm至390nm； 在所述量子阱發(fā)光層（4）上制備第二波導(dǎo)層（5）；以及 在所述第二波導(dǎo)層（5）上制備第二AlGaN限制層（6），其中，所述第二AlGaN限制層（6）的Al的組分濃度沿所述第一方向減小； 所述制備方法還包括： 在襯底（7）上制備GaN成核層（8）； 在所述GaN成核層（8）上制備非摻雜GaN層（9）； 在所述非摻雜GaN層（9）上制備所述n型GaN層（1）；以及 在所述第二AlGaN限制層（6）上制備p型GaN層（10），形成紫外激光器延片的歐姆接觸層。

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