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龍圖騰網獲悉微龕(廣州)半導體有限公司申請的專利觸發電壓可調的ESD保護結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114121940B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111412507.4，技術領域涉及：H10D89/60；該發明授權觸發電壓可調的ESD保護結構及其制作方法是由劉森;劉筱偉;劉海彬;李建平;劉興龍設計研發完成，并于2021-11-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本觸發電壓可調的ESD保護結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種觸發電壓可調的ESD保護器件及其制作方法，所述ESD保護結構包括：具有第一導電類型的深阱和功能器件層，所述功能器件層位于所述深阱內，并且所述功能器件層包括：第二導電類型的體區；第一導電類型的源極和漏極；柵結構，設置于所述體區的表面上；開口部，所述開口部限定于所述柵結構與所述漏極之間，所述開口部下方還設置有輕摻雜漏區；當靜電正電流的涌入使所述源極與溝道區以下的所述體區之間達到開啟閾值電壓時，引發所述寄生NPN雙極晶體管導通。本發明還提供一種觸發電壓可調的ESD保護器件的制作方法，通過所述方法制作的所述功能器件層位于深阱內，可以與實際CMOS三阱工藝相兼容。

本發明授權觸發電壓可調的ESD保護結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種觸發電壓可調的ESD保護結構，其特征在于，所述ESD保護結構包括：襯底、具有N型深阱和功能器件層，所述深阱設置于襯底上，所述功能器件層位于所述深阱內，并且所述功能器件層包括： 體區，所述體區具有與所述N型相反的P型； 具有N型的源極和漏極，間隔形成于所述體區內，所述漏極配置為靜電引入端； 柵結構，設置于所述體區的表面上，所述柵結構包括柵電極與設置于所述柵電極與所述體區界面之間的柵介質層； 開口部，所述開口部限定于所述柵結構與所述漏極之間，所述開口部下方還設置有輕摻雜漏區，所述輕摻雜漏區從所述漏極延伸至鄰接所述柵介質層的位置；所述輕摻雜漏區是N型，且其摻雜濃度高于P型體區； 其中，所述源極、溝道區以下的所述體區和所述漏極構成寄生NPN雙極晶體管的發射區、基區和集電區；當靜電正電流的涌入使所述源極與溝道區以下的所述體區之間達到開啟閾值電壓時，引發所述寄生NPN雙極晶體管導通；通過調節所述溝道區的長度，改變所述基區的寬度，從而實現觸發電壓的調制；所述源極連接至公共接地端，當所述柵電極引入負信號時，通過增大所述柵電極的電壓來增加所述體區與所述輕摻雜漏區之間能帶間隧穿。

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