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龍圖騰網獲悉華南師范大學申請的專利一種利用光致應變誘導產生及擦除磁性斯格明子的方法及裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114335332B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111428655.5，技術領域涉及：H10N50/01；該發明授權一種利用光致應變誘導產生及擦除磁性斯格明子的方法及裝置是由侯志鵬;王亞棟;孟家慧;陳家文;高興森設計研發完成，并于2021-11-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種利用光致應變誘導產生及擦除磁性斯格明子的方法及裝置在說明書摘要公布了：一種利用光致應變誘導產生及擦除磁性斯格明子的方法，包括以下步驟：S1：在偶氮苯液晶薄膜上通過磁控濺射制備具有介于垂直各向異性與水平各向異性之間的臨界各向異性的磁性多周期膜；S2：通過微納加工技術在步驟S1制得的磁性多周期膜上制備磁性納米點陣列；S3：利用光誘導產生斯格明子：通過施加355～375nm的光脈沖，產生斯格明子；S4：利用光擦除斯格明子：通過施加510～530nm的光脈沖，使斯格明子態不能穩定存在，回復為鐵磁態。本發明還提供一種磁性斯格明子的寫入及擦除裝置，包括磁性多周期膜、光致應變襯底和光誘導單元。本發明的方法和裝置產生和擦除斯格明子消耗的能量較低，器件穩定性強，有利于器件微型化發展。

本發明授權一種利用光致應變誘導產生及擦除磁性斯格明子的方法及裝置在權利要求書中公布了：1.一種利用光致應變誘導產生及擦除磁性斯格明子的方法，其特征在于：包括以下步驟： S1：在光致應變襯底上通過磁控濺射制備具有介于垂直各向異性與水平各向異性之間的臨界各向異性的磁性多周期膜，所述磁性多周期膜自下而上依次包括緩沖層、重金屬層、磁性層和非磁性層；所述光致應變襯底為偶氮苯液晶薄膜； S2：通過微納加工技術在步驟S1制得的磁性多周期膜上制備磁性納米點陣列； S3：利用光誘導產生斯格明子：通過施加355~375nm的光脈沖，使偶氮鍵發生順-反異構反應，偶氮苯液晶薄膜向預設方向彎曲，對磁性層產生單軸壓應變，降低磁性材料的垂直磁各向異性，從而使鐵磁態不能穩定存在，產生斯格明子； S4：利用光擦除斯格明子：通過施加510~530nm的光脈沖，使得偶氮苯液晶薄膜中的順式異構不能穩定存在，恢復為平整狀態；這時磁性層處于無應變狀態，磁性材料的垂直磁各向異性恢復，從而使斯格明子態不能穩定存在，恢復為鐵磁態。

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