買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉無錫先瞳半導體科技有限公司申請的專利屏蔽柵溝槽型場效應晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114141861B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111449785.7，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權屏蔽柵溝槽型場效應晶體管及其制備方法是由張子敏;王宇澄;虞國新;吳飛;鐘軍滿設計研發完成，并于2021-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本屏蔽柵溝槽型場效應晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請是關于一種屏蔽柵溝槽型場效應晶體管，包括：襯底區、漂移區、基體區、源區、溝槽區、漏極以及源極；所述漂移區與所述襯底區相接，以所述襯底區指向所述漂移區的方向為上方，所述基體區和所述源區依次設置在所述漂移區的上方；所述溝槽區設置在所述基體區側方，并分別與所述漂移區、所述基體區和所述源區相接；所述溝槽區包括屏蔽柵、控制柵、絕緣層和金屬柵極；所述源區由P型源區和N型源區組成，所述P型源區和所述N型源區并列設置，且分別相接于所述溝槽區；所述屏蔽柵與所述漂移區相接。當發生雪崩擊穿時，空穴電流能夠沿著溝槽區的側邊直接注入P型源區，空穴電流移動的路徑變短，抑制了寄生三極管的開啟，提高了雪崩耐量。

本發明授權屏蔽柵溝槽型場效應晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種屏蔽柵溝槽型場效應晶體管，其特征在于，包括： 襯底區1、漂移區2、基體區3、源區4、溝槽區5、漏極6以及源極7； 所述漂移區2與所述襯底區1相接，以所述襯底區1指向所述漂移區2的方向為上方， 所述基體區3和所述源區4依次設置在所述漂移區2的上方； 所述溝槽區5設置在所述基體區3側方，并分別與所述漂移區2、所述基體區3和所述源區4相接； 所述源區4由P型源區41和N型源區42組成，所述P型源區41和所述N型源區42沿所述基體區3的頂面并列設置，且分別相接于所述溝槽區5； 所述溝槽區5包括屏蔽柵51、控制柵52、絕緣層53和金屬柵極；所述控制柵52和所述屏蔽柵51由上至下依次設置在所述溝槽區5內，且經所述絕緣層53分隔；所述控制柵52通過所述絕緣層53分別與所述基體區3和所述源區4相接，所述屏蔽柵51通過所述絕緣層53與所述漂移區2相接； 所述源極7設置在所述源區4上方；所述漏極6設置在所述襯底區1下方；所述金屬柵極設在所述控制柵52上方； 還包括勢壘緩沖區8： 所述勢壘緩沖區8設置于所述漂移區2和所述基體區3之間；所述勢壘緩沖區8為所述基體區3與所述漂移區2之間的肖特基結。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫先瞳半導體科技有限公司，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市濱湖區建筑西路777號A3幢8層810；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。