美光科技公司黃祥珉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉美光科技公司申請的專利集成組合件和半導體存儲器裝置獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114765038B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111457535.8，技術領域涉及：G11C8/08；該發(fā)明授權集成組合件和半導體存儲器裝置是由黃祥珉;李奎錫;C·G·維杜威特設計研發(fā)完成，并于2021-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成組合件和半導體存儲器裝置在說明書摘要公布了：本申請涉及集成組合件和半導體存儲器裝置。一些實施例包含具有CMOS區(qū)的集成組合件。鰭片橫跨所述CMOS區(qū)延伸且位于第一間距上。電路布置與所述CMOS區(qū)相關聯(lián)且包含所述鰭片中的一或多個的片段。所述電路布置沿著第一方向具有第一尺寸。第二區(qū)接近所述CMOS區(qū)。導電結構與所述第二區(qū)相關聯(lián)。所述導電結構沿著與所述第一方向不同的第二方向延伸。所述導電結構中的一些與所述電路布置電耦合。所述導電結構位于與所述第一間距不同的第二間距上。第二尺寸為沿著所述第一方向橫跨所述導電結構中的所述一些的距離，且第二尺寸與所述第一尺寸大體上相同。
本發(fā)明授權集成組合件和半導體存儲器裝置在權利要求書中公布了：1.一種集成組合件，其包括： CMOS區(qū)； 鰭片，其橫跨所述CMOS區(qū)延伸，所述鰭片位于第一間距上； 電路布置，其與所述CMOS區(qū)相關聯(lián)且包括所述鰭片中的一或多個的片段；所述電路布置沿著第一方向具有第一尺寸； 第二區(qū)，其接近所述CMOS區(qū)；以及 導電結構，其與所述第二區(qū)相關聯(lián)且沿著與所述第一方向大體上正交的第二方向延伸；所述導電結構中的一些與所述電路布置電耦合；所述導電結構位于不同于所述第一間距的第二間距上；第二尺寸為沿著所述第一方向橫跨所述導電結構中的所述一些的距離；所述導電結構與所述電路布置對準，使得所述第二尺寸與所述第一尺寸大體上相同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人美光科技公司，其通訊地址為：美國愛達荷州；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數(shù)據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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