上海華力集成電路制造有限公司靳丹丹獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請的專利改善STI平坦度的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114496779B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210097309.1，技術領域涉及：H01L21/3115；該發明授權改善STI平坦度的方法是由靳丹丹;沈耀庭;周春設計研發完成，并于2022-01-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本改善STI平坦度的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種改善STI平坦度的方法，提供襯底，襯底上形成有阱，還形成有STI用以定義出的有源區；在襯底上形成覆蓋STI和有源區的光刻膠層，光刻使得有源區和部分STI裸露；對裸露的有源區和部分STI進行離子注入，用以形成輕摻雜漏；利用非激活離子對裸露的有源區和部分STI進行離子注入，其中STI被離子注入的深度為第一深度，未被離子注入的深度為第二深度，第一深度與第二深度的差值小于10埃。本發明改善了離子注入的STI區域與未進行離子注入的STI區域間高度的差異，便于去除偽柵，避免金屬柵成型后的性能受到影響。
本發明授權改善STI平坦度的方法在權利要求書中公布了：1.一種改善STI平坦度的方法，其特征在于，至少包括： 步驟一、提供襯底，所述襯底上形成有阱，以及形成STI用以定義出有源區； 步驟二、在所述襯底上形成覆蓋所述STI和所述有源區的光刻膠層，光刻使得所述有源區以及部分所述STI裸露； 步驟三、對裸露的所述有源區和部分所述STI進行離子注入，以形成輕摻雜漏； 步驟四、利用非激活離子對裸露的所述有源區和部分所述STI進行離子注入，所述非激活離子的元素種類為元素周期表中第四族或第零族，所述非激活離子為硅離子、氬離子、氙離子和鍺離子中的任意一種，其中所述STI被離子注入的深度為第一深度，所述STI未被離子注入的深度為第二深度，所述第一深度與第二深度的差值小于10埃。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華力集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區良騰路6號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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