西安派瑞功率半導體變流技術股份有限公司張磊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安派瑞功率半導體變流技術股份有限公司申請的專利一種旁路晶閘管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114400254B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210146872.3，技術領域涉及：H10D18/80；該發明授權一種旁路晶閘管及其制造方法是由張磊;楊俊艷;李暢;趙田;張歧寧;王國衛;胡茜;黨敏青設計研發完成，并于2022-02-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種旁路晶閘管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種旁路晶閘管及其制造方法，從上往下依次設置有陰極側鋁層，陰極N+區，陰極P?區，N?基區，陽極P?區，陽極P+區和陽極鋁層。在陰極側中心設有溝槽，其表面設有門極P+區，正對門極P+區下方設有凸出的波狀型P?基區，在正對波狀P?區的陽極側表面設置有高濃度N+區。當本發明結構的門極施加觸發信號后，晶閘管可以實現正向導通；當陽?陰極超過反向擊穿電壓后，晶閘管能夠實現精準電壓擊穿，且擊穿位于中心門極處，具有防爆功能。本發明結構主要應用于柔性直流輸電系統中，保護換流閥功率子模塊安全運行。
本發明授權一種旁路晶閘管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種旁路晶閘管，從上往下依次設置有陰極側鋁層（10、11和12），陰極N+區（14），陰極P-區（17），N-基區（2），陽極P-區（32），陽極P+區（31）和陽極鋁層（30）；其特征在于：在陰極側中心設有溝槽（13），其表面設有門極P+區（15），正對門極P+區下方設有凸出的波狀型P-基區（16），在正對波狀P-區的陽極側表面設置有高濃度N+區（33）。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安派瑞功率半導體變流技術股份有限公司，其通訊地址為：710077 陜西省西安市高新區錦業二路13號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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