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龍圖騰網獲悉上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利分柵快閃存儲單元的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114512491B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210152730.8，技術領域涉及：H10B41/35；該發明授權分柵快閃存儲單元的制備方法是由王旭峰;于濤;李冰寒設計研發完成，并于2022-02-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本分柵快閃存儲單元的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種分柵快閃存儲單元的制備方法，包括：提供襯底，在所述襯底上依次形成浮柵材料層及介質層；刻蝕所述介質層及所述浮柵材料層以形成顯露所述襯底的開口；在所述開口內填充擦除柵；在所述擦除柵及所述介質層上形成圖形化的光刻膠層，以所述圖形化的光刻膠層為掩模依次刻蝕所述介質層及所述浮柵材料層以顯露出所述襯底；去除所述圖形化的光刻膠層，在所述介質層及所述浮柵遠離所述擦除柵的一側形成字線柵；以及，形成字線柵電連接件及擦除柵電連接件，所述字線柵電連接件及所述擦除柵電連接件穿過所述鈍化層并分別與所述字線柵及所述擦除柵電性連接；本發明簡化了器件的制備工藝。

本發明授權分柵快閃存儲單元的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種分柵快閃存儲單元的制備方法，其特征在于，包括： 提供襯底，在所述襯底上依次形成浮柵材料層及介質層； 刻蝕所述介質層及所述浮柵材料層以形成顯露所述襯底的開口； 在所述開口內填充擦除柵； 在所述擦除柵及所述介質層上形成圖形化的光刻膠層，以所述圖形化的光刻膠層為掩模依次刻蝕所述介質層及所述浮柵材料層以顯露出所述襯底，剩余的浮柵材料層作為浮柵； 去除所述圖形化的光刻膠層，在所述介質層及所述浮柵遠離所述擦除柵的一側形成字線柵；以及， 在所述襯底上形成鈍化層以及在所述鈍化層上形成字線柵電連接件及擦除柵電連接件，所述鈍化層覆蓋所述襯底、所述字線柵、所述介質層及所述擦除柵，所述字線柵電連接件及所述擦除柵電連接件穿過所述鈍化層并分別與所述字線柵及所述擦除柵電性連接，且所述字線柵電連接件及所述擦除柵電連接件沿同一方向呈直線延伸； 其中，形成所述開口的步驟包括： 刻蝕所述介質層以形成顯露出所述浮柵材料層的第一開口；以及， 在所述第一開口的側壁上形成第一氧化層，以所述第一氧化層為掩模刻蝕所述浮柵材料層以形成顯露出所述襯底的第二開口，所述第一開口和所述第二開口連通構成所述開口。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。