旭化成微電子株式會(huì)社安田大貴獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉旭化成微電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利光學(xué)元件和光學(xué)式濃度測(cè)定裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114965336B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202210172758.8,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G01N21/3504;該發(fā)明授權(quán)光學(xué)元件和光學(xué)式濃度測(cè)定裝置是由安田大貴;古屋貴明設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-02-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本光學(xué)元件和光學(xué)式濃度測(cè)定裝置在說(shuō)明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種光學(xué)元件和光學(xué)式濃度測(cè)定裝置,提供不使芯片尺寸變大而使有效的受光面或者發(fā)光面變大并實(shí)現(xiàn)耐變動(dòng)性高的氣體傳感器的光學(xué)元件。關(guān)于光學(xué)元件,內(nèi)部布線部將一個(gè)單位元件的第一接觸電極部與其它單位元件的第二接觸電極部電連接,第二區(qū)域、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層構(gòu)成臺(tái)面構(gòu)造,焊盤電極以覆蓋多個(gè)單位元件的方式配置,并且與第一接觸電極部和第二接觸電極部中的至少一方電連接,第一絕緣部配置于焊盤電極與臺(tái)面構(gòu)造的側(cè)面之間以及焊盤電極與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一區(qū)域之間,外接于焊盤電極與連接部相接觸的區(qū)域的圓的直徑為基板的短邊的長(zhǎng)度的15%以上。
本發(fā)明授權(quán)光學(xué)元件和光學(xué)式濃度測(cè)定裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種光學(xué)元件,其特征在于, 具備基板、多個(gè)單位元件、內(nèi)部布線部、焊盤電極以及第一絕緣部, 其中,所述多個(gè)單位元件具有: 第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層,其配置于所述基板上,包括第一區(qū)域和第二區(qū)域; 活性層,其配置于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第二區(qū)域上; 第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層,其配置于所述活性層上; 所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一區(qū)域上的第一接觸電極部;以及 所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的第二接觸電極部, 所述內(nèi)部布線部將一個(gè)所述單位元件的所述第一接觸電極部與其它所述單位元件的所述第二接觸電極部電連接, 所述第二區(qū)域、所述活性層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層構(gòu)成臺(tái)面構(gòu)造, 所述焊盤電極以覆蓋多個(gè)所述單位元件的方式配置,并且與所述第一接觸電極部和所述第二接觸電極部中的至少一方電連接, 所述第一絕緣部配置于所述焊盤電極與所述內(nèi)部布線部之間,以使得所述內(nèi)部布線部不與所述焊盤電極接觸, 所述光學(xué)元件還具備連接部,所述連接部為了與外部電連接而設(shè)置于所述焊盤電極上,所述連接部與所述焊盤電極電連接,外接于所述焊盤電極與所述連接部相接觸的區(qū)域的圓的直徑為所述基板的短邊的長(zhǎng)度的15%以上。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人旭化成微電子株式會(huì)社,其通訊地址為:日本東京都;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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