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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請的專利自對準成像工藝硬掩膜層刻蝕偏差的測量方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114695121B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210170172.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)自對準成像工藝硬掩膜層刻蝕偏差的測量方法是由錢睿;賴璐璐;劉必秋;張聰設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-02-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本自對準成像工藝硬掩膜層刻蝕偏差的測量方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種自對準成像工藝剪切層刻蝕偏差的測量方法，設(shè)計測試圖形，主版圖包括在X方向等間距分布、在Y方向以相差固定偏移量依次分布的犧牲層圖形和多行沿著X，Y方向等間距分布的剪切層圖形。每一列相鄰的兩個犧牲層圖形在Y方向的周期與剪切層圖形的周期一致。將該測試圖形轉(zhuǎn)移至光罩上，經(jīng)過一系列光刻和刻蝕等工藝后，利用大場檢測工具進行檢測，通過正好被完全剪切掉的fin結(jié)構(gòu)和剛剛被剪切到的fin結(jié)構(gòu)的位置來確定刻蝕后圖形的邊界。本發(fā)明準確地確定剪切層AEICD的邊界，從而確定刻蝕偏差，為光學(xué)臨近效應(yīng)校正光刻刻蝕工藝的調(diào)整提供參考，提高工藝修正和調(diào)整的準確性，減少缺陷的產(chǎn)生。

本發(fā)明授權(quán)自對準成像工藝硬掩膜層刻蝕偏差的測量方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種自對準成像工藝硬掩膜層刻蝕偏差的測量方法，其特征在于，至少包括： 步驟一、設(shè)計主版圖，所述主版圖包括在X方向等間距分布、在Y方向以相差固定偏移量依次分布的犧牲層圖形和多行沿著X、Y方向等間距分布的剪切層圖形； 其中所述X方向為平行于所述主版圖的方向，所述Y方向垂直于所述X方向且平行于所述主版圖； 每一行的多個所述犧牲層圖形沿著Y方向至少從與剪切層圖形的上邊緣齊平到與其下邊界齊平； 每一列相鄰的兩個所述犧牲層圖形在Y方向的周期與所述剪切層圖形的周期一致；其中所述固定偏移量為版圖設(shè)計規(guī)則中最小格點的整數(shù)倍； 步驟二、設(shè)計測試鍵圖形，所述測試鍵圖形包括至少10行所述剪切層圖形以及其上的全部所述犧牲層圖形； 步驟三、提供襯底，所述襯底上形成有多個fin結(jié)構(gòu)、覆蓋多個所述fin結(jié)構(gòu)的硬質(zhì)掩膜層以及覆蓋所述硬質(zhì)掩膜層的犧牲層，之后在所述犧牲層上形成光刻膠層，光刻將所述測試鍵圖形轉(zhuǎn)移至所述光刻膠層上，之后對光刻后的所述光刻膠層進行量測得到ADI關(guān)鍵尺寸； 步驟四、刻蝕所述襯底，通過正好被完全剪切掉的所述fin結(jié)構(gòu)和剛剛被剪切到的所述fin結(jié)構(gòu)的位置來確定刻蝕后圖形的邊界，從而得到AEI關(guān)鍵尺寸； 步驟五、根據(jù)所述ADI關(guān)鍵尺寸和所述AEI關(guān)鍵尺寸得到刻蝕偏差；所述方法用于表征SADP、SAQP和SAOP工藝中的任意一步剪切層工藝。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海華力集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)良騰路6號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。