華為技術有限公司李志海獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華為技術有限公司申請的專利微納層結構的制作方法、加工裝置以及電子器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114772545B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210248455.X，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權微納層結構的制作方法、加工裝置以及電子器件是由李志海;張適;王浩宇;蔣珺楠設計研發完成，并于2022-03-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本微納層結構的制作方法、加工裝置以及電子器件在說明書摘要公布了：本申請實施例提供一種微納層結構的制作方法、加工裝置以及電子器件，制作方法包括提供掩膜件，掩膜件包括第一區域和第二區域，第一區域大于第二區域的磁場強度；提供基板，基板包括基體以及原膠層，原膠層包括膠體和磁性粒子；將掩膜件與基板相對，且所述掩膜件與所述基板之間具有預設距離，第一區域的磁性力驅動磁性粒子移動，以使原膠層形成圖案化掩膜層；圖案化掩膜層包括掩膜部和間隔區，以圖案化掩膜層為掩膜，蝕刻基體，以使基體形成圖案化的介質層；去除圖案化的介質層上剩余的圖案化掩膜層以形成介質層。利用磁性力驅動磁性粒子，掩膜件與原膠層不接觸，加工清潔度較高，成品率提升，制作過程簡單，提升了加工效率。
本發明授權微納層結構的制作方法、加工裝置以及電子器件在權利要求書中公布了：1.一種微納層結構的制作方法，包括： 提供掩膜件，所述掩膜件具有導磁性或磁性，所述掩膜件包括交替分布的第一區域和第二區域，所述第一區域的磁場強度大于所述第二區域的磁場強度； 提供基板，所述基板包括基體以及設于所述基體上的原膠層，所述原膠層包括膠體和摻雜于所述膠體內的磁性粒子； 將所述掩膜件與所述基板相對，且所述掩膜件與所述基板之間具有預設距離，所述第一區域的磁性力驅動與所述第一區域對應的磁性粒子移動，以使所述原膠層形成圖案化掩膜層；所述圖案化掩膜層包括交錯分布的掩膜部和間隔區，所述掩膜部的磁性粒子密集度大于所述間隔區的磁性粒子密集度；且所述掩膜部和所述間隔區中的一個與所述第一區域對應，另一個與所述第二區域對應； 以所述圖案化掩膜層為掩膜，蝕刻所述基體，以使所述基體形成圖案化的介質層； 去除圖案化的介質層上剩余的所述圖案化掩膜層以形成介質層。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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