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龍圖騰網獲悉泰州中來光電科技有限公司申請的專利一種測試晶體硅體區復合的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115166460B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210751479.7，技術領域涉及：G01R31/26；該發明授權一種測試晶體硅體區復合的方法是由陳春平;包杰;蔣建婷;胡圣杰;季根華;沈承煥;杜哲仁;林建偉設計研發完成，并于2022-06-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種測試晶體硅體區復合的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及晶體硅太陽電池技術領域，公開了一種測試晶體硅體區復合的方法，是將晶體硅在不同載流子注入濃度下的體區暗態飽和電流密度值來表示晶體硅的體區復合值，其包括：制備晶體硅樣品；測試晶體硅樣品在不同載流子注入濃度下的隱開路電壓值及表面暗態飽和電流密度值；根據不同載流子注入濃度下的隱開路電壓值，獲得晶體硅樣品在不同載流子注入濃度下的總暗態飽和電流密度值；根據不同載流子注入濃度下的表面暗態飽和電流密度值和總暗態飽和電流密度值，獲得晶體硅樣品的體區復合值。該方法通過體區暗態飽和電流密度值來精確表征晶體硅的體區復合大小，能建立起與開路電壓的關系，并能定量計算不同載流子注入濃度下晶體硅的體區復合值。

本發明授權一種測試晶體硅體區復合的方法在權利要求書中公布了：1.一種測試晶體硅體區復合的方法，其特征在于，將晶體硅在不同載流子注入濃度下的體區暗態飽和電流密度值來表示晶體硅的體區復合值，其包括如下步驟： S1、制備待測的晶體硅樣品：在晶硅襯底的前表面依次制備載流子選擇性層和減反射膜，并在晶硅襯底的后表面依次制備載流子選擇性層和減反射膜；其中，載流子選擇性層為同質結構或鈍化接觸結構； S2、測試所述晶體硅樣品在不同載流子注入濃度下的隱開路電壓值及表面暗態飽和電流密度值； S3、根據不同載流子注入濃度下的隱開路電壓值，獲得所述晶體硅樣品在不同載流子注入濃度下的總暗態飽和電流密度值； S4、根據不同載流子注入濃度下的表面暗態飽和電流密度值和總暗態飽和電流密度值，獲得所述晶體硅樣品的體區復合值； 步驟S4中，不同載流子注入濃度下的表面暗態飽和電流密度值和總暗態飽和電流密度值的差值，即為所述晶體硅在不同載流子注入濃度下的體區暗態飽和電流密度值，其計算公式為： J0，B＝J0，T-J0，S 式中，J0，T為不同載流子注入濃度Δn下總暗態飽和電流密度值，J0，S為不同載流子注入濃度Δn下表面暗態飽和電流密度，J0，B為晶體硅樣品不同載流子注入濃度Δn下的體區的暗態飽和電流密度值。

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