買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉華中科技大學(xué)申請的專利一種Ga³⁺摻雜In₂O₃ MEMS甲醛傳感器的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116443918B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310020747.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C01G15/00；該發(fā)明授權(quán)一種Ga³⁺摻雜In₂O₃ MEMS甲醛傳感器的制備方法是由段國韜;張彥林;張征;張宇;陳勁濤;呂國梁設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-01-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種Ga³⁺摻雜In₂O₃ MEMS甲醛傳感器的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于氣體傳感器領(lǐng)域，具體公開了一種Ga3+摻雜In2O3MEMS甲醛傳感器的制備方法，包括以下步驟：S1將可溶性銦鹽、可溶性鎵鹽、尿素、弱酸強堿鹽與去離子水混合攪拌形成均一的混合溶液；S2將混合溶液在100?200℃的溫度下進(jìn)行水熱反應(yīng)2h?48h；S3將水熱產(chǎn)物在空氣氣氛下進(jìn)行退火熱處理，得到Ga3+摻雜In2O3材料。本發(fā)明通過對向In2O3材料中引入Ga3+摻雜，并控制Ga3+摻雜量不超過15％，摻雜后晶粒尺寸減小、晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生變化由六方相氧化銦變?yōu)殡p相異質(zhì)結(jié)氧化銦；應(yīng)用于MEMS甲醛傳感器時，基于摻雜的“小尺寸”效應(yīng)和雙晶相異質(zhì)結(jié)的協(xié)同作用，能夠有效提高氧化銦MEMS甲醛傳感性能。

本發(fā)明授權(quán)一種Ga³⁺摻雜In₂O₃ MEMS甲醛傳感器的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種Ga3+摻雜In2O3材料改變In2O3材料晶體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： （S1）將0.2500gInNO33·4.5H2O、0.3500g檸檬酸鈉、0.075g尿素依次加入40ml去離子水中，磁力攪拌；然后，再向其中加入0.0125g、0.0250g或0.0375g的GaNO33·xH2O，磁力攪拌形成均一的混合溶液； 或者：（S1）將0.100gInNO33·4.5H2O、0.1000g檸檬酸鈉、0.0050g尿素依次加入40ml去離子水中，磁力攪拌；然后，再向其中加入0.0050g、0.0100g、0.0150g的GaNO33·xH2O，磁力攪拌形成均一的混合溶液； 或者：（S1）將0.5000gInNO33·4.5H2O、0.5000g檸檬酸鈉、0.1000g尿素依次加入40ml去離子水中，磁力攪拌；然后，再向其中加入0.0250g、0.0500g、0.0750g的GaNO33·xH2O，磁力攪拌形成均一的混合溶液； （S2）將步驟（S1）得到的混合溶液轉(zhuǎn)移到反應(yīng)釜中，然后在100-200℃的溫度下進(jìn)行水熱反應(yīng)2h-48h； （S3）將步驟（S2）得到的水熱產(chǎn)物在空氣氣氛下進(jìn)行退火熱處理，所述退火熱處理是在空氣氣氛下于450℃退火溫度退火熱處理2小時，從而得到Ga3+摻雜In2O3材料；相較于不使用可溶性鎵鹽得到的不含Ga3+摻雜的純相六方相氧化銦，該Ga3+摻雜In2O3材料同時含有六方相In2O3和立方相In2O3。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華中科技大學(xué)，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。