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龍圖騰網(wǎng)獲悉華中科技大學(xué);上海精測半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請的專利一種基于條件數(shù)的納米結(jié)構(gòu)散射測量配置優(yōu)化方法及系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116068865B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310094923.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G03F7/20；該發(fā)明授權(quán)一種基于條件數(shù)的納米結(jié)構(gòu)散射測量配置優(yōu)化方法及系統(tǒng)是由陳修國;楊天娟;張家豪;劉碩;劉世元;李仲禹設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-01-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于條件數(shù)的納米結(jié)構(gòu)散射測量配置優(yōu)化方法及系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于條件數(shù)的納米結(jié)構(gòu)散射測量配置優(yōu)化方法及系統(tǒng)，屬于光刻技術(shù)領(lǐng)域，方法包括：步驟S1、確定納米結(jié)構(gòu)的待測形貌參數(shù)以及散射測量的參數(shù)提取過程中固定不變的參數(shù)；步驟S2、基于所述待測形貌參數(shù)和所述固定不變的參數(shù)，構(gòu)建散射測量中衡量測量信號和理論信號之間擬合誤差的評價(jià)函數(shù)；步驟S3、基于所述評價(jià)函數(shù)，得到所述待測形貌參數(shù)的誤差傳遞矩陣；步驟S4、計(jì)算在不同的測量條件下，所述待測形貌參數(shù)的誤差傳遞矩陣的條件數(shù)，條件數(shù)最小的測量條件即為最優(yōu)配置。本發(fā)明還提供了一種基于條件數(shù)的納米結(jié)構(gòu)散射測量配置優(yōu)化系統(tǒng)。本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)高測量精度、準(zhǔn)確度和魯棒性好的納米結(jié)構(gòu)散射測量提供了一種新的測量配置優(yōu)化方案。

本發(fā)明授權(quán)一種基于條件數(shù)的納米結(jié)構(gòu)散射測量配置優(yōu)化方法及系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于條件數(shù)的納米結(jié)構(gòu)測量配置優(yōu)化方法，其特征在于，包括： 步驟S1、確定納米結(jié)構(gòu)的待測形貌參數(shù)x以及散射測量的參數(shù)提取過程中固定不變的參數(shù)a； 步驟S2、基于所述待測形貌參數(shù)x和所述固定不變的參數(shù)a，構(gòu)建散射測量中衡量測量信號和理論信號之間擬合誤差的評價(jià)函數(shù)； 步驟S3、基于所述評價(jià)函數(shù)，得到所述待測形貌參數(shù)的誤差傳遞矩陣； 步驟S4、計(jì)算在不同的測量條件下，所述待測形貌參數(shù)的誤差傳遞矩陣的條件數(shù)，條件數(shù)最小的測量條件即為最優(yōu)配置； 步驟S3中，基于所述評價(jià)函數(shù)，得到所述待測形貌參數(shù)的誤差傳遞矩陣，包括： 計(jì)算所述理論信號對所述待測形貌參數(shù)x的一階Taylor展開式； 將所述一階Taylor展開式代入所述評價(jià)函數(shù)，得到所述待測形貌參數(shù)的誤差傳遞矩陣。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華中科技大學(xué);上海精測半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。