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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所申請的專利一種環(huán)柵晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116137293B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310336232.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/62；該發(fā)明授權(quán)一種環(huán)柵晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法是由劉強(qiáng);俞文杰設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-03-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種環(huán)柵晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種環(huán)柵晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法，結(jié)構(gòu)包括：襯底層、絕緣層、頂半導(dǎo)體層、柵極、源極和漏極；絕緣層與頂半導(dǎo)體層之間設(shè)置有凹槽，凹槽兩側(cè)的半導(dǎo)體凸臺的底面部分設(shè)置預(yù)摻雜層；懸空溝道表面包裹柵介質(zhì)層，柵介質(zhì)層表面包裹柵電極層，柵介質(zhì)層和柵電極層構(gòu)成柵極，懸空溝道上方及側(cè)壁的柵極長度大于懸空溝道下方的柵極長度。本發(fā)明通過在懸空溝道兩端的半導(dǎo)體凸臺底部設(shè)置預(yù)摻雜層，使器件的溝道區(qū)域中的π溝道結(jié)構(gòu)對器件開關(guān)的控制能力弱于全環(huán)繞溝道結(jié)構(gòu)的控制能力，從而在減小源漏極與柵極之間的寄生電容和偏置電場的同時，充分發(fā)揮全環(huán)繞柵極晶體管的優(yōu)異電學(xué)性能。

本發(fā)明授權(quán)一種環(huán)柵晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種環(huán)柵晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)包括：襯底層、絕緣層、頂半導(dǎo)體層、柵極、源極和漏極； 所述絕緣層設(shè)置于所述襯底層上，所述頂半導(dǎo)體層設(shè)置于所述絕緣層上； 所述絕緣層與所述頂半導(dǎo)體層之間設(shè)置有凹槽，所述凹槽不貫穿所述絕緣層，所述頂半導(dǎo)體層包括懸空溝道和半導(dǎo)體凸臺，所述凹槽兩側(cè)為所述半導(dǎo)體凸臺，所述半導(dǎo)體凸臺連接于所述懸空溝道，所述懸空溝道橫跨于所述凹槽上，所述凹槽兩側(cè)的所述半導(dǎo)體凸臺的底面部分設(shè)置預(yù)摻雜層，以調(diào)節(jié)所述預(yù)摻雜層對應(yīng)的溝道的閾值電壓； 所述懸空溝道表面包裹柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層表面包裹柵電極層，所述柵介質(zhì)層和所述柵電極層構(gòu)成所述柵極，所述柵介質(zhì)層及所述柵電極層共同填滿所述凹槽，所述懸空溝道上方及側(cè)壁的所述柵極的長度大于所述懸空溝道下方的所述柵極的長度； 所述懸空溝道兩端的所述頂半導(dǎo)體層分別設(shè)置有源區(qū)和漏區(qū)，所述源極設(shè)置于所述源區(qū)上方，所述漏極設(shè)置于所述漏區(qū)上方。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，其通訊地址為：200050 上海市長寧區(qū)長寧路865號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。