上海擎茂微電子科技有限公司吳小利獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海擎茂微電子科技有限公司申請的專利一種帶有可編程內(nèi)置電阻柵的IGBT獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116845097B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310450972.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D12/00；該發(fā)明授權(quán)一種帶有可編程內(nèi)置電阻柵的IGBT是由吳小利;王海軍設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-04-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種帶有可編程內(nèi)置電阻柵的IGBT在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種帶有可編程內(nèi)置電阻柵的IGBT，其通過在柵金屬PAD與柵極總線之間設(shè)置若干組可編程電阻柵，使得該IGBT在出廠后，操作人員可通過燒錄PAD對若干組可編程電阻柵進(jìn)行編程，進(jìn)而對內(nèi)置柵極電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使其與相應(yīng)的應(yīng)用場景相適應(yīng)。
本發(fā)明授權(quán)一種帶有可編程內(nèi)置電阻柵的IGBT在權(quán)利要求書中公布了：1.一種帶有可編程內(nèi)置電阻柵的IGBT，包括芯片本體，芯片本體包括襯底1、位于襯底上方的柵金屬PAD2及柵極總線3，其特征在于：柵金屬PAD與柵極總線之間設(shè)有若干組可編程電阻柵，可編程電阻柵包括具有第一摻雜類型的多晶硅層4，多晶硅層與襯底之間設(shè)有氧化層5，多晶硅層的一端與柵金屬PAD連接，另一端與柵極總線連接，多晶硅層的中部設(shè)有具有第二摻雜類型的摻雜區(qū)6，帶有可編程內(nèi)置電阻柵的IGBT還包括若干燒錄PAD7，各可編程電阻柵的多晶硅層分別通過電熔絲8連接對應(yīng)的燒錄PAD。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海擎茂微電子科技有限公司，其通訊地址為：200120 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)張衡路200號2幢3層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準(zhǔn)確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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