湖北九峰山實驗室王紅莉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉湖北九峰山實驗室申請的專利硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116390625B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310498366.5，技術領域涉及：H10N30/072；該發明授權硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件是由王紅莉;沈曉安;應豪;胡昌宇設計研發完成，并于2023-04-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件在說明書摘要公布了：本發明實施例提供了一種硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件，在第一襯底上形成光學器件，以形成光學器件結構；將光學器件結構的光學器件一端與第二襯底進行鍵合；對第一襯底進行減薄處理，并進行平坦化操作；在減薄處理后的第一襯底表面上集成壓電元件；對第一襯底與壓電元件進行介質填充，并形成介質層；將介質層與驅動電路連接，以形成壓電控制器件。可以在硅光工藝的后端采用鍵合的方式，在已經形成光學結構的襯底反面與壓電晶片集成，進行了鍵合后的壓電控制器件工藝容忍度也隨之提高，可與現有工藝兼容，且對現有硅光工藝影響小，有利于大規模生產，并且降低了生產過程中的工藝難度，也從而提高了產品良率。
本發明授權硅光控制器件的集成方法及硅光控制器件在權利要求書中公布了：1.一種硅光控制器件的集成方法，其特征在于，所述方法包括： 在第一襯底上形成光學器件，以形成光學器件結構； 將所述光學器件結構的光學器件一端與第二襯底進行鍵合； 對所述第一襯底進行減薄處理，并進行平坦化操作； 在減薄處理后的所述第一襯底表面上通過鍵合預制壓電晶片集成壓電元件； 將所述壓電元件與驅動電路連接，以形成壓電控制器件。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖開發區關東科技工業園華光大道18號19層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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