天合光能股份有限公司張雅倩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉天合光能股份有限公司申請的專利硅片除雜方法、硅片及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117199185B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311249792.1，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權硅片除雜方法、硅片及其制備方法和應用是由張雅倩;劉成法;陳紅;簡磊;林愛奇;吳曉鵬;張帥;陸玉剛;鄒楊設計研發完成，并于2023-09-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本硅片除雜方法、硅片及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明涉及一種硅片除雜方法、硅片及其制備方法和應用。該硅片除雜方法，包括如下步驟：提供一裸硅片，所述裸硅片具有相對的正面和背面，且均包含機械損傷層；對所述裸硅片的正面進行制絨處理，形成反射率為7％～15％的織構面，制備硅片中間體；對所述硅片中間體進行擴散處理，所述硅片中間體的正面摻雜磷或硼且被二氧化硅包覆，所述硅片中間體的雜質向背面中的機械損傷層遷移聚集，形成外吸雜區且被二氧化硅包覆；去除所述外吸雜區表面的二氧化硅包覆層和所述外吸雜區。該方法具有吸雜效率高、條件溫和、操作簡單、低成本的優點，將除雜后的硅片用于器件中，能夠增加光吸收，提高短路電流、開路電壓、填充因子和電池光電轉換效率。
本發明授權硅片除雜方法、硅片及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種硅片除雜方法，其特征在于，包括如下步驟： 提供一裸硅片，所述裸硅片具有相對的正面和背面，且均包含機械損傷層； 對所述裸硅片的正面進行制絨處理，形成反射率為7％～15％的織構面，制備硅片中間體；其中，所述硅片中間體為單面制絨單面保留機械損傷層； 對所述硅片中間體進行擴散處理，所述硅片中間體的正面摻雜磷或硼，且被二氧化硅包覆，所述硅片中間體的雜質向背面中的機械損傷層遷移聚集，形成外吸雜區且被二氧化硅包覆； 去除所述外吸雜區表面的二氧化硅包覆層和所述外吸雜區，去除所述外吸雜區后所制得的硅片表面的反射率20％～50％。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天合光能股份有限公司，其通訊地址為：213031 江蘇省常州市新北區天合光伏產業園天合路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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