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龍圖騰網獲悉北京大學申請的專利堆疊叉板晶體管的制備方法、堆疊叉板晶體管及電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118352310B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410178652.8，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權堆疊叉板晶體管的制備方法、堆疊叉板晶體管及電子設備是由吳恒;劉煜;盧浩然;葛延棟;黎明;王潤聲;黃如設計研發完成，并于2024-02-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本堆疊叉板晶體管的制備方法、堆疊叉板晶體管及電子設備在說明書摘要公布了：本申請為堆疊叉板晶體管的制備方法、堆疊叉板晶體管及電子設備，提供一種堆疊叉板晶體管的電源軌的連接方法、堆疊叉板晶體管、器件及設備，該方法包括：在襯底上形成第一半導體結構；在第一半導體結構上形成第一電源軌；在第一電源軌上形成第一介電壁結構；去除第二犧牲層，并在第一源極結構中形成與第一電源軌連接的第一金屬連通結構；在第二半導體結構和第三半導體結構上形成第一金屬互連層；將第二半導體結構和第三半導體結構進行倒片；去除襯底和淺溝槽犧牲層的一部分，直至暴露出一對有源結構的第二部分；在一對有源結構的第二部分之間形成第二介電壁結構；在第四半導體結構和第五半導體結構上形成第二金屬互連層。通過本申請，可以提高晶體管的集成密度。

本發明授權堆疊叉板晶體管的制備方法、堆疊叉板晶體管及電子設備在權利要求書中公布了：1.一種堆疊叉板晶體管的制備方法，其特征在于，包括： 在襯底上形成第一半導體結構，所述第一半導體結構包括：一對有源結構以及淺溝槽隔離層，其中，所述有源結構包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更遠離所述襯底，所述第一部分與所述第二部分之間沿垂直于所述襯底的方向上至少設置有依次疊放的第一犧牲層和隔離層；所述淺溝槽隔離層包裹所述第一部分并與所述第一犧牲層平齊； 在所述第一半導體結構上形成第一電源軌，所述第一電源軌位于所述一對有源結構的第一部分之間； 在所述第一電源軌上形成第一介電壁結構； 基于所述一對有源結構的第一部分，形成第二半導體結構和第三半導體結構，所述第二半導體結構包括第一柵極結構、第一源極結構以及第一漏極結構，所述第三半導體結構包括第二柵極結構、第二源極結構以及第二漏極結構；所述第一柵極結構與所述第二柵極結構通過所述第一介電壁結構上的第一介電壁叉板隔離； 去除所述隔離層，并在所述第一源極結構中形成與所述第一電源軌連接的第一金屬連通結構； 在所述第二半導體結構和所述第三半導體結構上形成第一金屬互連層； 將所述第二半導體結構和所述第三半導體結構進行倒片； 去除所述襯底和所述淺溝槽隔離層的一部分，直至暴露出所述一對有源結構的第二部分； 在所述一對有源結構的第二部分之間形成第二介電壁結構； 基于所述一對有源結構的第二部分，形成第四半導體結構和第五半導體結構，所述第四半導體結構包括第三柵極結構、第三源極結構以及第三漏極結構，所述第五半導體結構包括第四柵極結構、第四源極結構以及第四漏極結構；所述第三柵極結構與所述第四柵極結構通過所述第二介電壁結構上的第二介電壁叉板隔離； 在所述第四半導體結構和所述第五半導體結構上形成第二金屬互連層。

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