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龍圖騰網獲悉湖北興福電子材料股份有限公司申請的專利一種采用FIB制備石英玻璃平面TEM樣品的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119064103B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411202740.3，技術領域涉及：G01N1/28；該發明授權一種采用FIB制備石英玻璃平面TEM樣品的方法是由葉瑞;黃莉;賀兆波;曾遠;徐澤設計研發完成，并于2024-08-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種采用FIB制備石英玻璃平面TEM樣品的方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種采用FIB制備石英玻璃平面TEM樣品的方法，屬于半導體制造技術領域。所述的方法包括以下步驟：S1、樣品前處理；S2、FIB刻蝕；S3、楔形校正：通過U型切割傾轉角的方法，逐步調整離子束的切割角度和強度，減小步驟S2中的楔形試樣薄片的楔形程度，制得具有初始觀察區域的試樣薄片；S4、精細打磨：引入倒切技術，通過操控納米機械手和鎢焊接技術，將觀察區域從試樣薄片中分離出來，形成獨立的TEM樣品；S5、樣品后處理。本發明通過優化離子束參數和加工步驟、引入改進的倒切技術手段，解決了現有技術中制備樣品時產生的非晶層厚、損傷大和效率低的問題，提高了TEM樣品的制備效率和質量。

本發明授權一種采用FIB制備石英玻璃平面TEM樣品的方法在權利要求書中公布了：1.一種采用FIB制備石英玻璃平面TEM樣品的方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、樣品前處理：將石英玻璃樣品固定在樣品臺上，并對石英玻璃樣品進行噴金處理； S2、FIB刻蝕：運用FIB技術對石英玻璃樣品進行刻蝕，制得具有初始觀察區域的楔形試樣薄片； S3、楔形校正：通過U型切割傾轉角的方法，逐步調整離子束的切割角度和強度，減小步驟S2中的楔形試樣薄片的楔形程度，制得具有初始觀察區域的試樣薄片； S4、精細打磨：引入倒切技術，通過操控納米機械手和鎢焊接技術，將觀察區域從試樣薄片中分離出來，形成獨立的TEM樣品； S5、樣品后處理：對步驟S4中制備的TEM樣品進行吹掃處理和清洗處理，以去除表面的非晶層和損傷層，制得所述的石英玻璃平面TEM樣品； 步驟S3中，所述的U型切割傾轉角的方法，具體包括以下步驟：在試樣臺回到0°的位置時，將楔形試樣薄片切割成懸臂梁狀；然后，將試樣臺的傾轉角從0°調整至-10°，繼續對楔形試樣薄片進行減薄，制得具有初始觀察區域的試樣薄片。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北興福電子材料股份有限公司，其通訊地址為：443007 湖北省宜昌市猇亭區猇亭大道66-3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。