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龍圖騰網獲悉廈門三安光電有限公司申請的專利一種發光二極管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115000266B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210536824.5，技術領域涉及：H10H20/831；該發明授權一種發光二極管是由王鋒;何安和;夏章艮;詹宇;彭康偉;林素慧設計研發完成，并于2019-10-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種發光二極管在說明書摘要公布了：本發明提供如下發光二極管，其包括透明襯底，透明襯底的第一表面包括半導體發光序列覆蓋的第一區域以及第二區域；半導體發光序列包括第一導電型半導體層、發光層以及第二導電類型半導體層，第一導電型半導體層一表面具有發光層和第二導電型半導體層覆蓋區域以及第一電極電連接區域；絕緣介質層，覆蓋半導體發光序列，并且具有第一開口和第二開口；半導體發光序列的周邊沿著一環繞方向依次包括為第一、第二、第三和第四邊緣；所述透明襯底第一表面的第二區域在半導體發光序列的第一、第二、第三和第四邊緣周圍分別具有W1、W2、W3和W4四個寬度；第一電極電連接區域位于部分的第一邊緣以及部分的第二邊緣，W1大于W3。

本發明授權一種發光二極管在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管，其包括：透明襯底、半導體發光序列、絕緣介質層、第一電極和第二電極； 透明襯底，具有第一表面，所述第一表面包括內部的第一區域以及外圍的第二區域； 半導體發光序列，包括自透明襯底的第一表面堆疊的第一導電型半導體層、發光層和第二導電型半導體層，覆蓋所述透明襯底第一表面第一區域； 第一導電型半導體層的一表面包括：發光層和第二導電型半導體層覆蓋區域以及第一電極電連接區域； 絕緣介質層，至少覆蓋所述半導體發光序列，并且具有第一開口和第二開口； 第一電極和第二電極，分別通過第一開口和第二開口電連接第一導電型半導體層以及第二導電型半導體層； 自第二導電型半導體層俯視，半導體發光序列的周邊沿著一環繞方向依次包括為第一邊緣、第二邊緣、第三邊緣和第四邊緣； 所述透明襯底第一表面的第二區域在所述半導體發光序列的第一邊緣、第二邊緣、第三邊緣和第四邊緣周圍分別具有四個寬度，定義為W1、W2、W3和W4； 其特征在于：所述第一導電型半導體層的第一電極電連接區域位于部分的第一邊緣以及部分的第二邊緣，所述W3介于0~20微米之間或者W4介于0~20微米之間；W2大于W4。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門三安光電有限公司，其通訊地址為：361100 福建省廈門市同安區洪塘鎮鎮民安大道841-899號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。