自貢東新電碳股份有限公司沈志麟獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉自貢東新電碳股份有限公司申請的專利一種半導體石墨材料及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119430939B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411733527.5，技術領域涉及：C04B35/52；該發明授權一種半導體石墨材料及其制備方法是由沈志麟;沈欣;夏尚能;黃虹;張成志設計研發完成，并于2024-11-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體石墨材料及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體石墨材料技術領域，具體涉及一種半導體石墨材料及其制備方法。所述半導體石墨材料，按質量百分比計，原料包括瀝青焦粉23?33％、生石油焦粉23?33％、人造石墨粉5?15％、天然石墨粉3?8％、余量為改質瀝青。本發明所述的半導體石墨材料具有較高的抗折強度、抗壓強度、硬度和密度；具有較低的電阻率、氣孔率和灰分，且制備工藝更加簡單，降低了生產成本。
本發明授權一種半導體石墨材料及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體石墨材料，其特征在于，按質量百分比計，原料包括瀝青焦粉23-33%、生石油焦粉23-33%、人造石墨粉5-15%、天然石墨粉3-8%、余量為改質瀝青； 所述的半導體石墨材料的制備方法，包括以下步驟： S1、將瀝青焦粉、生石油焦粉、人造石墨粉和天然石墨粉進行第一次混合，然后加入改質瀝青進行第二次混合，得混合料； S2、將混合料依次進行軋片、磨粉和壓制成型，得坯料； S3、將坯料按照預定升溫曲線進行焙燒，得焙燒料； S4、將焙燒料進行石墨化處理即得半導體石墨材料； 其中，步驟S3中所述預定升溫曲線為： 階段1：以自由升溫速率5h由室溫升溫至350℃； 階段2.1：以3.3℃h升溫速率升溫至450℃； 階段2.2：以2.5℃h升溫速率升溫至500℃； 階段3.1：以1.25℃h升溫速率升溫至750℃； 階段3.2：以1.6℃h升溫速率升溫至800℃； 階段3.3：以2.5℃h升溫速率升溫至900℃； 階段4：以4℃h升溫速率升溫至980℃； 階段5：以8℃h升溫速率升溫至1180℃； 階段6：在1200℃保溫70h。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人自貢東新電碳股份有限公司，其通訊地址為：643000 四川省自貢市沿灘區榮川路15號辦公樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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