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龍圖騰網(wǎng)獲悉烏鎮(zhèn)實驗室申請的專利一種納米晶須增強(qiáng)氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119751104B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411964453.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C04B35/81；該發(fā)明授權(quán)一種納米晶須增強(qiáng)氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷及其制備方法是由吳鄭敏;王震;陸毅;劉輝;戚芳;徐婷設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-12-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種納米晶須增強(qiáng)氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種納米晶須增強(qiáng)氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷及其制備方法，該方法包括：按質(zhì)量分?jǐn)?shù)計，55～75％碳化硅粉、15～35％硅粉和10～20％炭黑為主原料，與粘結(jié)劑、分散劑和水混合，得到陶瓷漿料；將所述陶瓷漿料倒入模具中，靜置并干燥成型，得到多孔陶瓷坯體；采用所述多孔陶瓷坯體2倍質(zhì)量的硅粉對其進(jìn)行掩埋，在流動的氮氣氣氛下升溫至1200～1500℃并保溫，直接氮化制得Si3N4nwSiCC多孔陶瓷預(yù)制體；再升溫至1600～1700℃，在真空度1～30Pa下真空保溫，冷卻，得到納米晶須增強(qiáng)氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷。通過本發(fā)明簡便的制備工藝，可原位生成納米晶須而實現(xiàn)對氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷的良好增韌。

本發(fā)明授權(quán)一種納米晶須增強(qiáng)氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種納米晶須增強(qiáng)氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 1、按質(zhì)量分?jǐn)?shù)計，55～75％的碳化硅粉、15～35％的硅粉和10～20％的炭黑為主原料，所述硅粉的粒度為1～10μm；依據(jù)質(zhì)量分?jǐn)?shù)比例，將粒度5～40μm的碳化硅粉、粒度1～20μm的炭黑和硅粉進(jìn)行球磨混合，得到球磨后的原料，與粘結(jié)劑、分散劑和水混合，配制得到陶瓷漿料；所述粘結(jié)劑為羥甲基纖維素鹽和羥乙基纖維素中的一種或多種；所述分散劑為乙醇、甲基戊醇、聚乙二醇和脂肪酸聚乙二醇酯中的一種或多種； 2、將所述陶瓷漿料倒入模具中，靜置并干燥成型，經(jīng)脫模得到多孔陶瓷坯體； 3、采用所述多孔陶瓷坯體2倍質(zhì)量的硅粉對多孔陶瓷坯體進(jìn)行掩埋，所述硅粉的粒度為1～10μm；在流動的氮氣氣氛下，升溫至1200～1500℃并保溫，經(jīng)硅粉直接氮化制得Si3N4nwSiCC多孔陶瓷預(yù)制體；再升溫至1600～1700℃，在真空度為1～30Pa條件下真空保溫，之后冷卻，得到納米晶須增強(qiáng)氮化硅結(jié)合碳化硅陶瓷。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人烏鎮(zhèn)實驗室，其通訊地址為：314500 浙江省嘉興市桐鄉(xiāng)市稻樂路925號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。