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龍圖騰網獲悉四川科爾威光電科技有限公司申請的專利基于交替遮蔽與濺射時序控制的正-側壁金屬化厚度一致性控制方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120366717B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510820199.0，技術領域涉及：C23C14/35；該發明授權基于交替遮蔽與濺射時序控制的正-側壁金屬化厚度一致性控制方法是由孫世剛;張國云;徐健;杜晶設計研發完成，并于2025-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于交替遮蔽與濺射時序控制的正-側壁金屬化厚度一致性控制方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于交替遮蔽與濺射時序控制的正?側壁金屬化厚度一致性控制方法，屬于集成電路制造領域，包括以下步驟：S1,取陶瓷基板；S2,在陶瓷基板側壁表面貼覆膠帶；S3,陶瓷基板正面金屬化;S4,剝離陶瓷基板側壁的膠帶，在陶瓷基板的正面貼覆膠帶；S5,陶瓷基板側面金屬化；其中，kTi=t2Tit1Ti=RTisideRTifront，kPt=t2Ptt1Pt=RPtsideRPtfront，kAu=t2Aut1Au=RAusideRAufront。本發明以獲得正側壁Ti、Pt、Au厚度一致性。

本發明授權基于交替遮蔽與濺射時序控制的正-側壁金屬化厚度一致性控制方法在權利要求書中公布了：1.一種基于交替遮蔽與濺射時序控制的正-側壁金屬化厚度一致性控制方法，其特征在于，包括以下步驟： S1,取陶瓷基板； S2,在陶瓷基板側壁表面貼覆膠帶，膠帶為耐溫≥300℃的膠帶； S3,陶瓷基板正面金屬化：從濺射源向陶瓷基板濺射沉積TiPtAu，濺射為磁控濺射，濺射條件： Ti靶，濺射功率500W~900W，Ar氣壓流量15sccm~30sccm，Ti正面沉積速率RTiside，濺射時間t1Ti； Pt靶，濺射功率500W~900W，Ar氣壓流量15sccm~30sccm，Pt正面沉積速率RPtside，濺射時間t1Pt； Au靶，濺射功率500W~900W，Ar氣壓流量15sccm~30sccm，Au正面沉積速率RAuside，濺射時間t1Au； S4,剝離陶瓷基板側壁的膠帶，在陶瓷基板的正面貼覆膠帶； S5,陶瓷基板側面金屬化：從濺射源向陶瓷基板濺射沉積TiPtAu，濺射為磁控濺射，濺射條件： Ti靶，濺射功率700W~1000W，Ar氣壓流量15sccm~30sccm，Ti側面沉積速率RTifront，濺射時間t2Ti； Pt靶，濺射功率700W~1000W，Ar氣壓流量15sccm~30sccm，Pt側面沉積速率RPtfront，濺射時間t2Pt； Au靶，濺射功率700W~1000W，Ar氣壓流量15sccm~30sccm，Au側面沉積速率RAufront，濺射時間t2Au； 其中，kTi=t2Tit1Ti=RTisideRTifront，kPt=t2Ptt1Pt=RPtsideRPtfront，kAu=t2Aut1Au=RAusideRAufront。

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