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龍圖騰網(wǎng)獲悉昆山協(xié)鑫光電材料有限公司申請(qǐng)的專利一種刻蝕方法、刻蝕裝置及鈣鈦礦組件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120390571B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510873742.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K71/60；該發(fā)明授權(quán)一種刻蝕方法、刻蝕裝置及鈣鈦礦組件是由請(qǐng)求不公布姓名設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種刻蝕方法、刻蝕裝置及鈣鈦礦組件在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)一種刻蝕方法、刻蝕裝置及鈣鈦礦組件。該刻蝕方法用于對(duì)待刻蝕電池的頂電極進(jìn)行刻蝕；該刻蝕方法包括：將高斯光束整形成方形平頂光束；調(diào)節(jié)方形平頂光束的預(yù)設(shè)聚焦位置；控制待刻蝕電池與方形平頂光束至相對(duì)位置處，并控制待刻蝕電池與方形平頂光束沿第一方向和或第二方向相對(duì)運(yùn)動(dòng)；根據(jù)預(yù)設(shè)聚焦位置對(duì)待刻蝕電池進(jìn)行刻蝕，使刻蝕形成的刻槽深度大于或等于頂電極的厚度且小于頂電極與鈣鈦礦功能層的厚度之和。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，通過(guò)將高斯光束轉(zhuǎn)換為方形平頂光束，且產(chǎn)生的方形平頂光束焦深下沿只作用在膜層表面的頂電極，降低實(shí)際使用功率且可以避免激光對(duì)鈣鈦礦組件中其他功能層的影響，提高鈣鈦礦組件的性能。

本發(fā)明授權(quán)一種刻蝕方法、刻蝕裝置及鈣鈦礦組件在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕方法用于對(duì)待刻蝕電池的頂電極進(jìn)行刻蝕；所述刻蝕方法包括： 將高斯光束整形成方形平頂光束； 調(diào)節(jié)所述方形平頂光束的預(yù)設(shè)聚焦位置； 控制待刻蝕電池與所述方形平頂光束至相對(duì)位置處，并控制所述待刻蝕電池與所述方形平頂光束沿第一方向和或第二方向相對(duì)運(yùn)動(dòng)，所述第一方向與所述第二方向不同； 根據(jù)所述預(yù)設(shè)聚焦位置對(duì)所述待刻蝕電池進(jìn)行刻蝕，使刻蝕形成的刻槽深度大于或等于頂電極的厚度且小于所述頂電極與鈣鈦礦功能層的厚度之和； 所述調(diào)節(jié)所述方形平頂光束的預(yù)設(shè)聚焦位置，包括： 通過(guò)調(diào)節(jié)光學(xué)模塊的焦距，以確定預(yù)設(shè)焦點(diǎn)位置；其中，所述預(yù)設(shè)焦點(diǎn)位置為所述方形平頂光束的預(yù)設(shè)聚焦位置； 所述通過(guò)調(diào)節(jié)光學(xué)模塊的焦距，以確定預(yù)設(shè)焦點(diǎn)位置，包括： 根據(jù)所述光學(xué)模塊出口與頂電極表面的距離的最大值和最小值確定所述光學(xué)模塊出口與所述頂電極表面的距離的調(diào)節(jié)范圍； 將所述調(diào)節(jié)范圍按照相等預(yù)設(shè)間距進(jìn)行N次劃線； 獲取迭代次數(shù)和初始激光功率，根據(jù)所述迭代次數(shù)和所述初始激光功率確定N次劃線時(shí)的激光功率； 根據(jù)所述激光功率確定功率密度，并將所述功率密度與所述頂電極的消融閾值比較； 當(dāng)所述功率密度與所述消融閾值相等，或者所述功率密度與所述消融閾值的差值小于或等于預(yù)設(shè)差值時(shí)，確定所述光學(xué)模塊的焦距以及預(yù)設(shè)焦點(diǎn)位置。

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